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SK 海力士回应收购英特尔美国晶圆厂传闻
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全球三大存储芯片厂商正式开启HBM4良率竞争
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美方喊话三星电子和SK海力士分享超额利润
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三大存储巨头放弃自研CXL控制器
發表于：2026/7/21 上午10:01:10
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明年内存短缺将恶化 SK考虑赴美建厂
發表于：2026/7/21 上午9:57:55
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澜起科技回应韩检方突击搜查
發表于：2026/7/16 下午5:11:35
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晶圆产能跟不上 美国银行报告认为内存供应无法快速缓解
發表于：2026/7/15 上午9:05:00
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韩国央行称AI驱动的半导体超级周期未结束
發表于：2026/7/13 下午1:05:47
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美商务部长施压三星SK海力士扩大在美内存芯片生产
發表于：2026/7/10 上午9:55:38
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三星和SK海力士推迟HBM混合键合技术
發表于：2026/7/7 上午9:31:03
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SEMI警告美国政府干预DRAM价格恐让短缺更严重
發表于：2026/7/7 上午9:03:36
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韩国800万亿韩元全力打造新半导体集群
發表于：2026/6/30 上午9:00:00
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利润超90% SK海力士增产DDR5
發表于：2026/6/24 上午10:07:52
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SK海力士宣布交付12层堆叠HBM4E样品
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存储材料革命来袭 SK海力士改用钼替代钨
發表于：2026/6/16 上午10:48:27
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消息称SK海力士准备向主要客户提供HBM4E样品
發表于：2026/6/15 上午10:26:18
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SK海力士又起火了 本月第二起火灾
發表于：2026/6/12 下午1:05:02
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2025年半导体企业资本支出与研发排名公布
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SK海力士年底量产375层NAND 将首次导入钼材料
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三大存储原厂打响芯片内部散热战
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英伟达与SK海力士宣布共同开发下一代AI内存
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曝SK海力士2031年前DRAM月产能增至100万片
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三大原厂HBM4全通过英伟达资质认证
發表于：2026/6/8 上午9:15:12
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传SK海力士将在大连二厂建设200层中段FG NAND产线
發表于：2026/6/4 上午10:24:07
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利润率被DDR5反超 HBM报价将大幅调涨
發表于：2026/6/3 上午9:17:55
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SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM”
發表于：2026/5/26 上午9:54:39
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AI热潮冲击供应链 苹果DRAM议价权削弱
發表于：2026/5/19 上午9:59:36
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消息称微软与SK海力士合作谋求降低AI领域对英伟达依赖
發表于：2026/5/14 上午9:51:51
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全球存储芯片公司最新财季净利润排名
發表于：2026/5/13 上午9:05:11
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SK海力士在与英特尔合作研发EMIB封装技术
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