7月6日消息，據報道，三星電子與SK海力士在引入混合鍵合技術，以實現下一代高帶寬存儲器方面正面臨日益嚴峻的挑戰。

混合鍵合技術在下一代HBM上的全面應用可能比預期進一步延遲。行業分析師指出，兩家公司正重新評估采用混合鍵合的時機，即使到HBM5也可能暫不采用。

混合鍵合技術直接連接DRAM芯片間的銅線，無需使用凸點，有助于減小HBM厚度并改善散熱。然而，JEDEC正在討論將HBM5的厚度標準從當前的775微米放寬至最高約1000微米。

而HBM3E標準厚度為720微米，HBM4已放寬至775微米。厚度標準松動后，混合鍵合的無凸點減薄優勢不再緊迫。

散熱問題也有了更簡單的替代方案。三星開發了HPB熱通道模塊，在封裝內部加入獨立熱柱，可從堆疊內部帶走熱量。

SK海力士則推出iHBM技術，將電絕緣、導熱硅冷卻元件嵌入D2D PHY層，稱可較現有產品降低超過30%熱阻。兩家公司計劃從HBM5開始應用各自方案。

目前客戶和內存制造商并未積極討論16層HBM的問題。即使到HBM4E階段，12層產品仍極有可能被用作主流產品。

16層以上高堆疊產品的需求并不緊迫，這進一步延緩了混合鍵合的規模化部署。不過混合鍵合的研發并未停滯。當前HBM4的I/O數量已翻倍至2048個。

若未來HBM5E階段I/O進一步翻倍至4096個，現有TC熱壓合工藝將因凸點橫向擴散而難以支撐，屆時必須采用混合鍵合以實現更高密度連接。

業內判斷，短期內混合鍵合不會大規模部署，但中長期當I/O密度再次爆炸時仍是發展方向。