7月21日消息，三星電子正將V-NAND（垂直堆疊閃存）產能的60%以上分配給英偉達，用于供應AI服務器所需的存儲芯片，同時V10已量產、V11已進入試產階段。
目前三星電子月產能超過10萬片晶圓，其中V9（286層）占60%，V8占比已降至40%以下，去年以來產能快速向V9轉移。
V9良率已超80%，進入量產穩定期，平澤P4工廠的NAND潔凈室空間還有超一半可用于擴產。
V10已在今年上半年開始量產，堆疊層數達400層，存儲密度比V9高出50%以上，更值得關注的是，V11（目標400-500層）已進入試產，下半年試產規模將翻倍，為量產積累良率數據。
此外，V10開始規模采用鉬（Molybdenum）替代傳統鎢作為布線材料，布線厚度減少30%至40%，是業界首次將該材料商業化應用。
這一切的背景是英偉達即將推出的CMX（Context Memory Storage，上下文存儲），單套可容納576塊SSD、總容量9600TB。
據預計，CMX對NAND的需求將從今年的3500萬TB暴增至明年1億TB以上，而三星電子2026年NAND產量預計約2.5億TB，有望成為CMX核心供應商。
英偉達吃掉了三星電子大部分產能，留給其他客戶和消費者的所剩無幾，存儲漲價恐怕還要持續。
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