7月22日消息，據外媒Wccftech報道，隨著高帶寬內存（HBM）持續朝更高堆疊層數與更高帶寬演進，市場普遍認為混合鍵合（Hybrid Bonding）為下一代HBM關鍵封裝技術。不過韓國業界消息傳出，三星可能將混合鍵合HBM大規模量產時間延后至2029至2030年，并與英偉達下一代Feynman AI GPU平臺同步導入。

資料顯示，引入混合鍵合技術將移除HBM堆疊中各層DRAM晶片之間的微凸塊（Micro Bump），改采銅對銅（Cu-to-Cu）直接鍵合，可大幅縮短芯片層間距離，進一步提升帶寬、降低功耗與改善散熱，因此被視為關鍵技術。

消息人士指出，三星評估混合鍵合真正具備成熟量產條件的時間點，將落在2029至2030年，預計搭配英偉達Feynman AI GPU一同推出。

作為英偉達Rubin Ultra的下一代AI平臺，傳聞Feynman平臺將采用3D堆疊架構，由英特爾負責部分先進封裝，并搭載定制化高帶寬內存（Custom HBM）。市場推測，Feynman可能采用HBM5或基于HBM5發展的定制化版本。

據悉，三星最快將于今年底開始在平澤廠區安裝混合鍵合設備，但初期主要用于技術驗證與產線建置，真正量產仍需等待2029至2030年。

不過，此前也有報導指出，混合鍵合最快從HBM4E開始導入。據悉，三星目前正向荷蘭半導體設備商貝思半導體（BESI）采購約50臺混合鍵合設備。但三星希望設備能定制化，當然也不排除評估韓國本土設備廠采購的可能性。

至于定制化HBM，是在3D系統級封裝（SiP）架構下，以客戶自有的邏輯芯片（Logic Die）取代傳統HBM的Base Die，使內存與計算芯片整合更加緊密，進一步提升AI計算效率與系統效能。

值得注意的是，近期傳出JEDEC正研議放寬HBM封裝厚度規范，使HBM4E仍可沿用既有熱壓鍵合技術，降低業者短期內導入混合鍵合的迫切性。三星與SK海力士等大廠都可能將混合鍵合全面商用的時間點延后至HBM5世代，以配合英偉達Feynman AI GPU問世時間。