7月6日消息，這一輪內(nèi)存大漲價(jià)歸因于A(yíng)I需求，尤其是HBM內(nèi)存擠占了大量DDR/LPDDR內(nèi)存，但HBM同樣面臨著技術(shù)限制，Intel已經(jīng)在研發(fā)XBM內(nèi)存解決這個(gè)問(wèn)題。

Intel是內(nèi)存技術(shù)起價(jià)的，就算40年前退出了內(nèi)存生產(chǎn)，但在技術(shù)研發(fā)下一直沒(méi)拉下，各種技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)都少不了Intel的推動(dòng)，在當(dāng)前的HBM內(nèi)存中Intel話(huà)語(yǔ)權(quán)不高，這個(gè)XBM內(nèi)存（eXtended Bandwidth Memory）有機(jī)會(huì)讓Intel重掌大權(quán)。

XBM內(nèi)存已經(jīng)不是第一次露出苗頭了，最新曝光的是一份編號(hào)為20260191095的專(zhuān)利申請(qǐng)，2024年12月26日申請(qǐng)的，公開(kāi)時(shí)間是今年7月2日。

根據(jù)這個(gè)專(zhuān)利，Intel指出當(dāng)前HBM內(nèi)存面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)，包括面積被TSV侵占，面積效率越來(lái)越低，布線(xiàn)復(fù)雜，功耗越來(lái)越高，未來(lái)難以為繼。

Intel提出的XBM內(nèi)存方案則是帶后端晶體管的超高帶寬存儲(chǔ)器，芯片堆棧中的每個(gè)存儲(chǔ)芯片包含一個(gè)晶體管、一個(gè)電容（1T1C）、后端動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）。

傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存中晶體管在FEOL前端中，現(xiàn)在把它做到后端金屬層中，面積效率大增，再通過(guò)更多的TSV通道來(lái)提升總帶寬。

最終做出來(lái)的XBM內(nèi)存面積效率高，功耗更低，而不像是HBM后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)那樣繼續(xù)在高頻率上做文章。

這篇專(zhuān)利申請(qǐng)沒(méi)有提到XBM內(nèi)存的具體指標(biāo)，結(jié)合里面提到的參數(shù)來(lái)推測(cè)，XBM內(nèi)存預(yù)計(jì)會(huì)比當(dāng)前的HBM4提升一倍的帶寬、容量，但該技術(shù)面向的至少是2030年之后的市場(chǎng)，屆時(shí)會(huì)有HBM5、HBM6，單論技術(shù)指標(biāo)應(yīng)該不占優(yōu)勢(shì)了。

總的來(lái)說(shuō)，XBM不太可能直接取代HBM內(nèi)存，而是Intel換了個(gè)方向開(kāi)辟高性能內(nèi)存之路，希望用后端晶體管工藝突破AI最急迫的內(nèi)存墻問(wèn)題，現(xiàn)在說(shuō)技術(shù)好不好還太早，等過(guò)幾年有產(chǎn)品了再看。