7 月 22 日消息，韓國媒體《中央日報》今日早些時候報道稱，SK 海力士正在與英特爾就收購后者位于美國俄亥俄州的新建晶圓廠進行談判，計劃未來在美國實現存儲芯片前端制造。

不過，SK 海力士隨后通過發言人回應稱，公司“沒有收購計劃”，否認了相關報道內容。英特爾方面也表示，公司不會對媒體關于未來商業協議的猜測發表評論，但仍將繼續推進俄亥俄項目建設。

此前《中央日報》援引匿名業內人士消息稱，SK 海力士正在評估收購英特爾俄亥俄州半導體園區的可能性，目標是在未來五年內利用該基地生產存儲芯片。據報道，該交易如果推進，可能幫助 SK 海力士擴大美國本土生產布局，同時為英特爾晶圓代工業務提供資金支持。不過，截至目前，雙方公司均未確認存在相關交易談判。

英特爾俄亥俄半導體項目位于俄亥俄州新奧爾巴尼（New Albany），被稱為“Ohio One”項目，是英特爾近年來規模最大的制造投資之一。英特爾于 2022 年正式開工建設該園區，計劃一期投資超過 280 億美元（IT之家注：現匯率約合 1897.86 億元人民幣），建設兩座先進芯片制造工廠。整個園區占地約 1000 英畝（約 405 萬平方米），未來規劃最多可容納 8 座晶圓廠。

按照英特爾此前公布的規劃，該項目最初目標是在 2025 年前后完成兩座先進晶圓廠建設，并創造約 3000 個英特爾崗位。不過，隨著英特爾晶圓代工業務推進不及預期，公司調整了投資節奏，俄亥俄工廠建設時間表也被多次推遲。2025 年 2 月，英特爾表示，該項目首座晶圓廠預計將在 2030 年前后完成建設，投產時間可能在 2030 年至 2031 年之間。

英特爾曾將俄亥俄項目視為推動美國先進芯片制造回流的重要基地，并獲得美國《芯片與科學法案》（CHIPS and Science Act）相關支持。美國商務部此前公布，英特爾俄亥俄項目獲得最高約 78.65 億美元（現匯率約合 533.1 億元人民幣）直接資金支持，用于擴大美國本土先進半導體制造能力。

近年來，英特爾晶圓代工戰略面臨壓力。公司希望通過“IDM 2.0”戰略吸引外部客戶使用自身制造能力，但在先進制程推進、良率提升以及客戶拓展方面遭遇挑戰。與此同時，英特爾也實施了裁員、削減投資等成本控制措施。

對于 SK 海力士而言，美國制造布局也是其全球供應鏈調整的一部分。目前，該公司正在美國印第安納州建設高帶寬內存（HBM）封裝基地，計劃投資約 38.7 億美元（現匯率約合 262.31 億元人民幣），并預計于 2028 年開始運營。此外，韓國另一家芯片企業三星電子也在美國得克薩斯州泰勒建設先進晶圓制造和研發設施。

美國近年來持續推動半導體產業鏈本土化，希望覆蓋芯片設計、晶圓制造、存儲以及先進封裝等環節。美國政府官員此前多次要求三星電子、SK 海力士等韓國企業擴大在美投資規模，這也成為外界關注韓國存儲廠商未來美國制造計劃的重要背景。