7 月 13 日消息，受到人工智能需求激增與產能結構性瓶頸的雙重推動，高帶寬內存（HBM）的價格到 2027 年有望翻倍。

據 DigiTimes 上周五報道，業內人士透露，下一代 HBM4 的價格有望升至每 Gb 4 至 5 美元甚至更高，而 2026 年下半年的價格約為每 Gb 2 美元。

此次價格上漲主要源于 HBM4 極其復雜的制造工藝。HBM4 的生產周期長達 4 至 6 個月，而且初期良率明顯低于成熟產品。此外，生產 HBM 所消耗的晶圓產能約為普通 DDR5 DRAM 的三倍，這意味著在現有產能條件下，內存廠商能夠生產的 HBM 數量受到嚴重限制。

供應緊張的局面還因長期供貨協議進一步加劇。三星電子、SK 海力士和美光等存儲巨頭，正通過與頂級 AI 客戶簽署為期 3 至 5 年的長期合同，提前鎖定全球 HBM 產能。

DigiTimes 認為，隨著越來越多 DRAM 產能轉向 HBM，再加上長期合同占用，到 2027 年，全球約一半 DRAM 產能將無法向中小客戶供應。

與此同時，英偉達即將推出的 Rubin AI 架構正在加速 HBM4 的導入。不過，存儲廠商也面臨新的利潤取舍。

由于今年服務器 DDR5 內存價格持續上漲，部分廠商的 DDR5 利潤率已超過 80%，這使得內存制造商只有在 HBM 能夠帶來更高利潤的情況下，才愿意將生產線從傳統 DRAM 轉向 HBM。因此，他們也將推動 HBM 維持更高的售價，以彌補轉換產線帶來的機會成本。

資本市場方面，這種長期供不應求的格局預計將繼續支撐存儲板塊股價表現。

SK 海力士當天通過美國存托憑證（ADR）正式登陸納斯達克，這是公司歷史上首次在美國上市交易。本次發行規模高達 265 億美元，且 ADR 的交易價格甚至高于其韓國首爾上市股票，顯示投資者依然高度看好 AI 存儲市場的發展前景。

AI 熱潮已經推動多家存儲企業股價大幅上漲，其中：美光（Micron）累計上漲超過 700%；閃存廠商閃迪（SanDisk）上漲超過 3800%；SK 海力士上漲超過 630%；三星電子上漲超過 360%。

盡管近期市場一度擔憂科技巨頭可能削減 AI 基礎設施投資，但 DigiTimes 援引供應鏈消息稱，進入 2027 年后，AI 硬件整體仍將處于供不應求狀態。

因此，預計存儲廠商將在 2026 年底的新一輪供貨合同談判中繼續掌握絕對的定價主動權，而沒有提前簽訂長期供貨協議的消費電子廠商，則可能面臨嚴重的缺貨風險。