6 月 4 日消息，據(jù)韓媒 the bell 當(dāng)?shù)貢r(shí)間 5 月 28 日?qǐng)?bào)道，SK 海力士計(jì)劃在大連二廠建設(shè)“200 層中段”（250 層左右）的 FG（浮柵）結(jié)構(gòu) 3D NAND 產(chǎn)線。

幾大閃存原廠目前均在其 3D NAND 中采用 CT（電荷阱）結(jié)構(gòu)，唯有 SK 海力士通過(guò)對(duì)英特爾閃存業(yè)務(wù)的收購(gòu)保留了 FG NAND 生產(chǎn)線。SK 海力士大連一廠目前具備 192 層 FG NAND 的量產(chǎn)能力。

韓媒表示，SK 海力士去年完成了 200 層以上 FG NAND 的研發(fā)工作，現(xiàn)在正向量產(chǎn)轉(zhuǎn)移。其計(jì)劃 2026Q3 建設(shè)一條中試線，相關(guān)設(shè)備采購(gòu)已然啟動(dòng)，后續(xù)目標(biāo)到 2027H2 實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)。

相較 CT，F(xiàn)G 結(jié)構(gòu)更適合每單元比特?cái)?shù)更高的 QLC NAND 閃存。而 AI 尤其是推理工作負(fù)載對(duì)不重寫(xiě)入的讀取密集型 SSD 有著很高的需求，這正是 QLC 的用武之地。另一方面，技術(shù)路線的延續(xù)也有利于 Solidigm 開(kāi)發(fā)工作保持連貫。