6月23日消息，進入3D時代之后，提升NAND閃存容量的關鍵技術就是堆棧的層數了，現在量產的也就300多層，再過5年就要奔向1000層以上了。

目前SK海力士量產了321層的閃存（他們自己叫4D閃存），主流產品還在200-300層之間，三星年內計劃量產400層以上的Gen10 V-NAND閃存。

再往后呢，3D閃存的層數還要往500層以上堆，三星上月底公布了一個900層堆棧的閃存技術，實際上是靠CMB多層鍵合技術將2個450層的閃存芯片鍵合起來的。

三星的志向不會止步于此，500多層堆棧的技術成熟之后，靠鍵合技術還能再做到1000層以上，三星預測的時間是2030年左右，實際更應該是在2030年之后。

這對大家來說有什么意義，要知道當前200多層堆棧QLC閃存的消費級M.2硬盤也就8TB容量，1000層的QLC SSD可以輕松做到32TB，到時候真的不需要什么HDD硬盤了。

AI、企業級的硬盤就更不得了，當前的容量做到256TB沒問題，未來幾年要奔著1000TB去了，也就是PB級容量開始了。

當然，那時候要是價格降不下來，32TB的SSD硬盤恐怕會是天價，普通人買不起的。