6月23日，三星電子宣布，已成功開發出業界首款通用閃存存儲（UFS）5.0產品系列，專為設備端AI（On-Device AI）環境進行優化。該方案基于三星第九代V-NAND（V9）閃存技術，并遵循JEDEC最新嵌入式存儲接口標準，旨在滿足端側AI對高速、低延遲數據處理的嚴苛需求。

在性能方面，UFS 5.0實現了跨越式升級。其最高順序讀取速度可達10.8GB/s，順序寫入速度高達9.5GB/s，整體性能較上一代UFS 4.1標準提升超過一倍。這將顯著縮短大型AI模型的加載時間，并大幅降低端側運行大語言模型（LLM）時的延遲，提升設備響應速度。

與此同時，UFS 5.0的能效表現同樣亮眼。通過引入時鐘門控和多電壓等創新技術，其在傳輸同等數據量時的功耗相比UFS 4.1降低了40%以上，有助于延長下一代移動設備的電池續航時間。

UFS 5.0采用了超緊湊的封裝設計，尺寸僅為7.5mm × 13mm × 0.9mm，體積比前代產品縮小了16.7%。更小的尺寸為智能手機、可穿戴設備及擴展現實（XR）設備等終端提供了更高的內部空間利用率和設計靈活性。三星計劃提供最高1TB的多種容量版本。

三星電子存儲器事業部產品規劃團隊負責人崔章錫表示：“在設備端AI時代，存儲設備正在演變為定義AI體驗的關鍵要素。”

三星計劃于今年第四季度（Q4）正式啟動UFS 5.0的量產，并逐步擴大供應，覆蓋旗艦智能手機、XR頭顯及AI可穿戴設備等下一代終端市場。據TrendForce數據，三星電子2026年第一季度以31.6%的市場份額位居NAND閃存市場榜首，此次率先推出UFS 5.0，有望進一步鞏固其市場領導地位。