近日，存儲芯片大廠鎧俠（Kioxia）與Sandisk宣布，它們的第十代產品BiCS10（第10代BiCS）3D NAND Flash在日本巖手縣北上工廠的Fab2（K2）生產線正式投產。該產品主要面向數據中心等企業級儲存應用，兼顧高密度與高性能，儲存密度方面更有望超越三星最新的V10世代400層3D NAND。
據介紹，面向數據中心應用的BiCS10采用332層堆疊，存儲密度超過29 Gb/mm2、提升59%，性能比前代提升約33%，數據傳輸速度達4,800 MT/s，可支持采用PCIe 5.0與PCIe 6.0接口。
鎧俠表示，新產品可將讀取延遲降低約4微秒（約降低10%）、讀取能耗也降低了約25%，由每GB約100 mJ降至75 mJ。這些改善來自全新設計的讀取機制，改變連續讀取時未被提取字線（Word Line）的運作方式。
針對消費類市場，鎧俠與Sandisk則計劃繼續提供BiCS9 NAND Flash，BiCS10是否用于高性能消費性SSD，仍將取決于市場供需情況。
鎧俠與Sandisk將分別在不同工廠生產BiCS9與BiCS10。在日本巖手縣北上市的最新Fab 2晶圓廠負責生產旗艦級332層BiCS10；位于三重縣四日市生產基地，則持續負責218層BiCS9的量產。
鎧俠Fab 2工廠配備最先進的制造設備，更適合生產最高密度的BiCS10；至于技術成熟的四日市工廠，則更適合量產面向消費市場的BiCS9。此外，四日市廠大部分設備已完成折舊，可用較低成本生產主流NAND，并將最新產能保留給Fab 2，以生產最先進NAND Flash產品。
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