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SK海力士HBM4定价曝光 较HBM3E溢价最高70%
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三星DDR4停产时间延后至2026年底
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2025年全球十大半导体厂商资本支出将达1350亿美元
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DDR4内存价格已反超DDR5一倍
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SK海力士全球最大存储芯片厂商地位更加稳固
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三大巨头停产引发抢货潮 国产存储紧急重启DDR4产线
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英特尔下代AI芯片将采用SK海力士HBM4
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三星电子加入SOCAMM内存模块战场
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三星电子1c nm DRAM内存工艺开发完成
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英伟达在SK海力士HBM内存销售额占比降至80%
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美国拟撤销对三星/SK海力士/台积电在华晶圆厂“豁免”
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SK海力士已向英伟达小批量供应HBM4
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SK海力士暂缓1c DRAM内存量产设备采购
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美光与SK海力士等美国建厂计划受阻
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任天堂Switch 2拆解：关键芯片供应商曝光
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SK海力士发布未来30年新DRAM技术路线图
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2025Q1全球DRAM市场下滑5.5%
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五大NAND闪存厂Q1营收暴跌近1/4
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消息称SK海力士计划10月量产12Hi HBM4内存
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HBM4制造难度及成本将更高
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三星押注1c DRAM挑战SK海力士HBM霸主地位
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SK海力士成功开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
發表于：2025/5/22 下午1:09:00
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消息称三星等5大原厂集体减产10~15%NAND
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三星电子和SK海力士正在加速将混合键合技术引入HBM4
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SK海力士DRAM颗粒大涨12%
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三星计划三年内量产V-DRAM
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SK Hynix展示全球首款16层堆叠HBM4
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DDR4市场生变 美光紧随三星削减产能
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SK海力士宣布完成基于CXL 2.0 的 DDR5 96GB产品客户验证
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