6月18日，存儲芯片大廠SK海力士宣布，憑借長期累積的HBM領先開發能力與量產經驗，已成功向主要客戶提供12層堆疊HBM4E樣品。SK海力士表示，公司將與主要客戶密切合作，確保產品能如期進入量產階段。
SK海力士此次推出的新產品相較前一代HBM4，在性能與能效方面均有顯著提升。HBM4E的引腳（Pin）傳輸速率最高可達16Gbps，能源效率則提高超過20%，大幅提升AI訓練與推理所需的數據處理能力。
此外，HBM4E透過新一代接口與設計優化，有效降低數據傳輸延遲，即使在高帶寬環境下也能維持穩定運作。公司預期，該產品將進一步提升下一代AI數據中心與大規模運算系統的處理效率。
在封裝技術方面，SK海力士的HBM4E采用先進MR-MUF（ Mass Reflow Molded Underfill ，批量回流模塑底部填充）制程。該技術在實現12層堆疊、48GB容量的同時，也進一步強化了結構穩定性。與HBM4相比，其熱阻降低約17%，可確保產品在高效能運算環境下維持穩定運行。
MR-MUF是在堆疊半導體芯片后，于芯片間填充液態保護材料并進行固化，以保護內部電路的封裝技術。
SK海力士表示，公司憑借在HBM3、HBM3E與HBM4等產品累積的量產與供貨經驗，持續適時提供符合客戶需求的內存解決方案。未來也將延續市場驗證的品質與供應能力，通過HBM4E與客戶共同解決AI系統瓶頸問題，支援下一代AI基礎設施建設。
SK海力士開發總監（CDO）社長安炫（Ahn Hyun）表示，SK海力士將把迄今累積的業界領先技術競爭力與量產能力延續至HBM4E產品，進一步鞏固持續引領AI創新的基礎。通過與合作伙伴的緊密協作，將以前瞻性的布局實現市場所需價值，并進一步強化SK海力士作為“全方位AI存儲創造者”（Full Stack AI Memory Provider ）的技術領導地位。
