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2026年Q1 NAND市场公布 长江存储升至13%
發(fā)表于：2026/6/4 上午9:10:57
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三星公开HBM5架构 HPB散热技术成杀手锏
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利润率被DDR5反超 HBM报价将大幅调涨
發(fā)表于：2026/6/3 上午9:17:55
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三星展示全球首款HBM5内存
發(fā)表于：2026/6/2 下午1:01:17
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全球DRAM产业Q1营收环比大涨81%
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三星超越美光成全球车载存储市场第一大供应商
發(fā)表于：2026/6/1 上午9:28:58
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时代芯存首台光刻机正式进场 设备调试全面启动
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三星电子交付业界首批HBM4E内存样品
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长鑫科技IPO成功过会
發(fā)表于：2026/5/28 上午8:57:50
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三星罢工威胁正式消除 薪酬协议通过
發(fā)表于：2026/5/28 上午8:55:33
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SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM”
發(fā)表于：2026/5/26 上午9:54:39
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美光HBM4产出效率暴涨2倍 明年量产HBM4E已锁定
發(fā)表于：2026/5/26 上午9:51:52
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三星罢工再生变故 非半导体部门申请法院禁令
發(fā)表于：2026/5/26 上午9:31:55
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全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型诞生
發(fā)表于：2026/5/26 上午9:27:57
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美光美国新DRAM晶圆厂量产 DDR4产能翻4倍
發(fā)表于：2026/5/26 上午9:14:19
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三星以存储芯片的优先供应权为筹码拉拢联发科
發(fā)表于：2026/5/22 下午1:02:25
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比DRAM快1000倍 新存储器件实现40皮秒切换
發(fā)表于：2026/5/21 下午1:10:30
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三星电子劳资谈判结束 工会暂缓大罢工
發(fā)表于：2026/5/21 上午8:41:10
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三星电子劳资第三轮事后调节破裂 工会明起按计划总罢工
發(fā)表于：2026/5/20 下午1:05:04
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产量全球第四 长江存储启动IPO
發(fā)表于：2026/5/20 上午10:30:46
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产能将激增 明年下半年内存或将显著降价
發(fā)表于：2026/5/19 下午1:18:09
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罢工风声紧 三星正减产存储芯片全力加码HBM
發(fā)表于：2026/5/19 上午10:29:29
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韩国法院要求三星电子罢工行动不得影响产量
發(fā)表于：2026/5/18 下午1:06:22
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三星研发下一代移动HBM封装技术 带宽有望提升30%
發(fā)表于：2026/5/18 上午9:53:02
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曝三星内部存储器部门与代工部门奖金悬殊
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美光256GB DDR5 RDIMM内存样品迎来交付
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谈判彻底破裂 三星五万名员工整装待罢工
發(fā)表于：2026/5/13 上午9:28:14
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全球存储芯片公司最新财季净利润排名
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三星电子劳资双方重启谈判 罢工风险引发全球供应链担忧
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