5月25日消息，據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w報道，三星電子近期利用單元多層鍵合(CMB)技術(shù)連接兩片450層3D NAND，構(gòu)建了全球首個900層超高堆疊3D NAND閃存原型，這一樣品的存儲單元工作特性已得到驗證。

該技術(shù)核心是兩片450層晶圓垂直整合，突破傳統(tǒng)單次堆疊極限。

三星自研“上部卡盤”技術(shù)解決高層堆疊晶圓翹曲難題，新型套刻校正技術(shù)將鍵合對準(zhǔn)誤差控制在納米級，保障良率。

同時優(yōu)化位線（BL）與字線（WL）結(jié)構(gòu)，在提升密度的同時降低芯片功耗與尺寸。

作為AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心SSD及高端手機存儲核心，3D NAND層數(shù)直接決定存儲密度。

當(dāng)前量產(chǎn)市場SK海力士以321層4D NAND領(lǐng)先，三星計劃年內(nèi)量產(chǎn)400層以上第十代V-NAND，此次900層原型將技術(shù)差距進一步拉大。