5 月 12 日消息，美光今天宣布，已開始向關鍵合作伙伴提供 256GB DDR5 RDIMM（帶寄存器的雙列直插式內存）樣品，傳輸速率最高可達 9200 MT/s。
據介紹，這款 256GB 內存采用 3D 堆疊、TSV（注：硅通孔）互聯等先進封裝技術。通過將多顆 DRAM 顆粒立體堆疊，配合 1-gamma 技術，為下一代 AI 服務器提供更優能效表現。
美光指出，單條 256GB 內存相比雙條 128GB 可降低 40% 運行功耗，可減少能源消耗，提升能效。同時，高容量內存還能夠提升 CPU 可搭載的內存容量。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。