繼5月17日，國產存儲芯片大廠長鑫科技更新IPO招股書，并披露了炸裂的財務數據引發市場熱議后，又一家國產存儲芯片龍頭也啟動了IPO。
5月19日，據證監會官網消息，國產存儲芯片龍頭長江存儲控股股份有限公司（下稱“長存集團”）正式提交了IPO上市輔導備案。輔導機構為中信證券和中信建投。
資料顯示，長存集團成立于2016年，總部位于湖北武漢，是一家集芯片設計、生產制造、封裝測試及系統解決方案產品于一體的存儲器IDM企業。其全資子公司長江存儲在胡潤研究院2025全球獨角獸榜中位列中國十大獨角獸第9、全球第21，估值1600億元，是半導體行業估值最高的獨角獸。
Xtacking改寫3D NAND游戲規則
作為長存集團發展的核心引擎，長江存儲在存儲芯片技術領域屢獲突破，斬獲多項國際大獎，為產品創新奠定了堅實的技術基礎。其，長江存儲自主研發的晶棧?Xtacking?架構是企業的核心技術王牌，該架構開創性的采用了晶圓鍵合這一關鍵技術，在傳輸速度、存儲密度、研發效率及生產周期都具有突破性優勢。
過去傳統的NAND Flash制造是只使用一塊晶圓，NAND 陣列和CMOS電路的集成要么是將CMOS電路放置在單元陣列旁邊（CMOS Next Array 或 CAN），要么將CMOS電路放置在 NAND 陣列 (CUA) 下方。
大多數 NAND Flash供應商在其最初的 3D NAND 工藝中實施 CAN 方法，然后在后續工藝中遷移到 CUA架構。僅美光和Solidigm 在 32 層 3D NAND 路線圖之初就實施了 CUA架構。隨后三星、SK海力士也轉向了CUA架構，三星稱之為COP（Cell-on-Perry），SK海力士稱之為PUC（Cell-Under-Cell）。
在傳統3D NAND架構中，外圍電路約占芯片面積的20~30%。而隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路所占據的芯片面積或將達到50%以上，這也造成了存儲密度的降低。同時，這種方法最多可容納300多層的NAND，否則施加于底部電路上的壓力可能會對電路造成損壞。
為了解決這一問題，長江存儲早在2018年推出了全新的Xtacking技術，推動了高堆疊層數的3D NAND制造開始轉向了CBA（CMOS 鍵合陣列）架構。即通過將兩塊獨立的晶圓分別制造NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路，然后將CMOS邏輯電路堆疊在NAND陣列之上。
△圖片來源：YMTC
由于NAND晶圓和CMOS電路晶圓可以在不同的生產線上制造，因此可以使用各自優化的工藝節點分別生產，不僅可以縮短生產周期，還可以降低制造復雜度和成本。同時，CBA 架構也可以使得NAND芯片的每平方毫米的存儲密度、性能和可擴展性可以進一步提高。
Xtacking架構憑借獨特的設計理念與領先的技術性能，先后三次斬獲FMS獎項，成為全球3D NAND技術領域的重要創新成果。目前晶棧Xtacking架構已經迭代至4.0版本，Xtacking 4.0也在2025年8月斬獲FMS 2025 3D NAND類目“最具創新存儲技術獎”，這一獎項的獲得，充分印證了長江存儲在3D NAND技術領域的重要地位，也體現了國際市場對國產存儲芯片技術的高度認可。
依托Xtacking這一核心技術，長江存儲率先業界量產了232層NAND產品，并且有消息顯示采用Xtacking 4.0架構的長江存儲新一代NAND閃已經達到300層以上。
值得一提的是，Xtacking技術的實現，需要將分別用于制造NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路的兩片晶圓進行完美的垂直互連，而這必須要用到混合鍵合技術，因此，長江存儲在推動Xtacking技術持續多年的不斷迭代商用過程中積累了大量的相關專利。
因此，當三星、SK海力士等存儲大廠轉向與Xtacking技術類似的架構時將不可不免的面臨專利方面的障礙。
2025年2月，韓國媒體ZDNet Korea就曾報道稱，多位知情人士表示，三星與長江存儲簽署“混合鍵合”技術專利許可協議，是因為三星的判斷是“開發 V10、V11 和 V12 等下一代 NAND Flash，幾乎不可能規避長江存儲的專利”。這樣從側面印證了長江存儲強大的技術積累。
OEM端多點開花，自有品牌“致態”領跑
得益于技術上的領先，長江存儲作為最大的國產NAND Flash制造商，近年來在國內市場也取得出色的成績。
在面向B端客戶的供應鏈（OEM）端，長江存儲的存儲顆粒和解決方案已被江波龍、佰維存儲等模組廠，以及華為、雷克沙、光威、宏碁等品牌廠商廣泛采用。
在消費級零售市場，長江存儲的自有品牌“致態”（ZHITAI）也已經在國內SSD硬盤市場占據了重要地位。根據京東平臺的數據，在2025年的“雙十一”購物節中，致態品牌獲得了SSD品類的交易總額（GMV）與總銷量的雙料冠軍。這已經是致態連續第三次在大型電商促銷活動中取得這一成績，此前在2024年的“雙十一”和2025年的“618”也均實現了SSD品類的“雙冠王”。其中，TiPlus7100這款固態硬盤產品，更是在2025年“雙十一”期間拿下了單一產品的銷量冠軍。
長江存儲近期推出首款PCIe 5.0商用SSD——PC550，該產品搭載X4-9070 3D TLC閃存顆粒，接口速率為3600MT/s，相比上一代提升50%，存儲密度也提升了36%。憑借領先的技術性能成功躋身PCIe 5.0消費級賽道主流陣營，彰顯了長存集團在高端存儲領域的硬核技術實力。
可以說，PC550的推出，是長存集團將核心技術轉化為市場產品的重要成果，不僅豐富了企業的高端產品矩陣，也進一步完善了企業的產品布局，滿足了市場對高端存儲產品的需求。
另外，自去年下半年以來，由于人工智能需求爆發所驅動的龐大數據存儲需求，導致NAND Flash供不應求、價格暴漲，由于三星、SK海力士、美光等原廠優先供應數據中心及企業級應用，使得眾多消費類電子品牌大廠都面臨供應短缺和成本問題。
因此，自年初以來一直有傳聞稱，多家國際PC大廠和某智能手機大廠都有考慮采用長江存儲的NAND Flash。若傳聞屬實，這將標志著長江存儲的客戶群將從以中國為中心的市場重新進入全球頂級手機制造商的供應鏈。
三期項目建設加速，總產量將達全球第三
近年來，隨著長江存儲在國內市場的持續開拓，其產能也在持續擴張。
長江存儲武漢一期項目于于2016年12月正式開工建設，規劃總投資240億美元（含二期），2018年底建成投產，經過數年建設與產能爬坡，這條產線已經穩定在月產10萬片12英寸晶圓的滿產狀態。
2020年6月，長江存儲二期項目正式動工，分為2A和2B，總規劃月產能為10萬片晶圓，2A于2024年正式投產，投產后僅用約兩年時間，即達到其最大設計產能。目前2B也正在產能爬坡當中。
長江存儲三期項目于2025年9月宣布正式動工（有消息稱2024年8月就已經開始土地平整），該項目的公司主體——長存三期（武漢）集成電路有限責任公司（以下簡稱“長存三期”）成立于9月5日，注冊資本207.2億元。據《長江日報》報道，三期項目今年1月就已經開始安裝潔凈室，計劃今年內建成投產。三期項目設計月產能為10萬片，預計2027年可實現月產能5萬片。
第三方機構的預測數據顯示，長江存儲2025年的NAN Flash晶圓產量已經從2024年的129萬片增長至2025年的177萬片，排名全球第四，僅次于鎧俠、三星和SK海力。而今年長江存儲的產量將有望達到200萬片，超越SK海力士（約190萬片），僅次于日本鎧俠（482萬片）和三星電子（468萬片）。而一旦長江存儲三期項目生產線的全面投產，屆時其產量將有望進一步提升。
（注意，這里說的是“產量”非“產能”。由于當前AI需求爆發所當中的DRAM需求暴增，而AI所需的DRAM利潤率更高，因此三星電子和SK海力士有將部分NAND產能轉向生產DRAM，新建的產能也以DRAM為主。）
估值1600億：從國資“輸血”到市場化融資
長江存儲的發展起點可追溯至2016年，國家存儲器基地項目在武漢落地，長江存儲作為實施主體承載了中國存儲芯片自主化的戰略使命。在產業發展最艱難的前期階段，湖北、武漢、光谷三級國資累計投入超過300億元，扛過了長期虧損周期。
這一階段的長江存儲，本質上是典型的“國資主導、產業培育”模式。彼時的融資邏輯并非追求財務回報，而是服務于國家戰略——打造中國唯一具備3D NAND閃存完整產業鏈能力的IDM企業。近年來，隨著長江存儲在市場上獲得成功，也開始引入市場化資本。
根據IPO輔導備案報告顯示，長存集團當前注冊資本高達178.2億元，最顯著的特征是無控股股東。第一大股東湖北長晟發展有限責任公司直接持股26.5442%，天眼查數據穿透后顯示，湖北長晟由湖北集成電路產業投資基金、武漢光谷金融控股集團及長江產業投資集團共同持股。這意味著，武漢市國資委是穿透后的實控力量，但這一控制力并未通過單一主體集中實現，而是在不同國資平臺之間形成了天然制衡。
從整體股東陣容來看，長存集團形成了 “國資引領、產業協同、多元持股”的鮮明格局。核心股東大致可分為四類：
1. 國資基石股東：除了持股26.5442%的第一大股東湖北長晟外，還包括武漢光谷產業投資（9.2550%）、湖北國芯產業投資（5.9039%）、長江產業投資集團（2.5282%）等地方國資力量。
2. 國家級產業資本：國家集成電路產業投資基金一期（11.9691%）、二期（11.3761%）雙雙入局，體現了長存集團在國家半導體戰略版圖中的核心地位。國家集成電路產業投資基金一期還與武漢國資間接通過武漢芯飛科技投資持股25.3538%。
3. 國有大行金融資本：建信投資、中銀資產、農銀投資、交銀投資、工銀資本等五大行系投資機構悉數在列。這組“銀行系”股東的集體入場，既提供了充裕的資金保障，也傳遞出金融機構對該項目穩健性的認可信號。
4、市場化資本：2025年4月，上市公司養元飲品子公司蕪湖聞名泉泓以16億元獲得0.99%股權，彼時對于長存集團的估值已達1616億元。此番引入市場化資本為后續估值定價提供了參照。
值得一提的是，長存集團的這種分散化架構與長鑫科技頗為相似——后者同樣無控股股東和實際控制人，第一大股東清輝集電持股21.67%。國產存儲“雙雄”不約而同地選擇分散制衡的頂層設計，似乎已非巧合，或反映了戰略性半導體項目在監管溝通與治理穩定性之間的某種共識。
國產存儲“雙雄”齊聚IPO
長江存儲IPO輔導啟動，恰逢國產存儲另一巨頭長鑫科技剛剛更新招股書。兩家公司分別為中國DRAM和NAND Flash領域的龍頭企業，被業界稱為國產存儲“雙雄”。
長鑫科技是國內最大DRAM廠商，擬在科創板上市，計劃募資295億元。2025年第四季度全球DRAM市場份額7.67%。2026年一季度營收508億元，歸母凈利潤高達247.62億元。長鑫科技還預計，今年上半年公司營收將達1100億元~1200億元，歸母凈利潤500億元至570億元。
長存集團旗下長江存儲則是國內唯一3D NAND Flash原廠。根據市場調研機構Counterpoint Research的報告顯示，2025年第四季度全球NAND存儲市場份額中，長江存儲占比11%，位列全球第六。
據媒體報道，長江存儲2025年前三季度營收同比增長97.79%；2026年第一季度營收較去年同期實現翻倍增長。
當前，全球AI需求爆發、核心硬件成本暴漲，存儲芯片正迎來由 AI 驅動的超級周期。中信證券研報表示，受 AI 強勁需求拉動，存儲需求將保持高景氣度，存儲芯片的缺貨、漲價有望貫穿 2026 年全年并持續帶來行業催化。
顯然，在行業超級周期窗口期，若兩家公司順利登陸A股，國產存儲“雙雄”將獲得更充足的資本支持，加碼技術研發與產能擴張。這既是中國半導體產業加速追趕的關鍵一躍，也將為全球存儲芯片產業的多元化發展注入新動能。
有分析人士認為，鑒于長存集團與長鑫科技當前的業績，這兩家國產存儲龍頭成功登陸資本市場后，市值都有望突破萬億。
