5月25日消息，據報道，美光第六代高帶寬內存HBM4產能爬坡進展順利，其產能提升速度較上一代HBM3 12層產品實現2倍增長，且良品率優化速度顯著加快。

美光科技全球運營副總裁馬尼什·巴蒂亞日前在摩根大通投資大會確認，該產品將應用于英偉達AI計算平臺Vera Rubin。

美光HBM4的核心DRAM芯片采用10納米級第五代1β工藝，并由美光自主優化基底芯片以提升整體性能。

美光計劃于明年量產下一代HBM4E標準產品。HBM4E將采用10納米級第六代1γ工藝，這是美光首次在量產工藝中引入ASML的EUV光刻設備。

此外，美光將改變生產策略，HBM4E的基底芯片將委托臺積電進行制造。美光HBM4E首批產品將符合JEDEC標準，后續會根據客戶需求提供定制化版本。

預計到今年年中，美光基于1γ工藝的DRAM及第九代NAND閃存出貨量將占據總量的半數以上，其中1γ工藝DRAM有望成為美光史上最大規模的單一DRAM工藝。

行業競爭方面，三星電子計劃于今年第二季度交付HBM4E樣品，其基底芯片由三星代工部門采用4納米工藝制造。

SK海力士計劃于今年下半年提供HBM4E樣品，明年正式量產，其基底芯片由臺積電采用3納米工藝生產。