6 月 2 日消息，韓媒 Edaily 今天（6 月 2 日）發布博文，報道稱在 2026 年臺北國際電腦展上，三星展示了全球首款 HBM5 內存。
注：HBM5 是面向未來高性能計算（HPC）和人工智能（AI）訓練需求設計的第八代存儲技術。
HBM5 預計在 2029 年至 2031 年間推出市場，采用更先進的制造工藝，預計使用 2nm 基礎裸片搭配 1c nm DRAM。
散熱方面，為了應對超高功耗，HBM5 將采用浸沒式冷卻技術 (Immersion Cooling)，即直接將裸片和封裝整體浸泡在冷卻液中。
性能方面，行業預測 HBM5 將 I/O 通道提升至 4096-bit，以 16-Hi (16 層) 堆疊為標準，預期每個堆疊的帶寬將提升至 4 TB/s。
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