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长鑫科技将于7月27日在A股科创板上市
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内存条价格松动 较年初高点跌去30%
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美国ITC对三星电子英伟达等七家公司启动337调查
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长鑫科技：第五代工艺技术平台处于研发阶段
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长鑫科技确定发行价8.66元/股 7月16日启动申购
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英特尔携ZAM和XBM存储器架构重返DRAM市场
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服务器DRAM内存预计2026Q3合约价环比涨幅13~18%
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长鑫科技7月16日新股申购 募资295亿扩产晶圆
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苹果引入中国DRAM意在增加谈判筹码
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传三星DRAM三季度将涨价20%
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传腾讯与长鑫存储达成超200亿DRAM大单
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毛利率85% 台积电与华邦电子合作开发AI内存
發表于：2026/6/30 上午9:02:00
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美机构预测长鑫存储年底超车美光成全球第三
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2027年全球存储芯片市场将达1.4万亿美元
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DRAM紧缺延伸至DDR2产品
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中国科学院微电子所突破3D DRAM技术
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闪迪新专利将NAND堆叠于GPU之下破解AI内存墙
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DRAM价格再次回到上涨轨道 德国DDR5价格指数反弹至419%
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曝SK海力士2031年前DRAM月产能增至100万片
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AI掏空存储产能 美国九大行业联合请愿扩产芯片
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2026Q1全球NAND闪存同比增至3.5倍
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全球DRAM产业Q1营收环比大涨81%
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比DRAM快1000倍 新存储器件实现40皮秒切换
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