AI浪潮引發(fā)的DRAM產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性重構(gòu)，正沿著制程世代逐級向下傳導(dǎo)，令早已退出主流市場的DDR2內(nèi)存顆粒意外成為緊缺品，價格持續(xù)飆升。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢6月22日發(fā)布的最新研究顯示，由于成熟制程DRAM供給出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性緊縮，Consumer DRAM（消費級內(nèi)存）的缺貨壓力正迫使下游廠商采用更舊世代的產(chǎn)品，導(dǎo)致DDR2、DDR3等老款內(nèi)存顆粒合約價延續(xù)強勁上漲動能。預(yù)估DDR2在2026年第二季合約價漲幅已達約55-60% ，第三季預(yù)估將進一步上漲35-40% 。
HBM擠占產(chǎn)能，三大原廠持續(xù)縮減成熟制程投片
從供給面來看，這輪漲價潮的根源在于DRAM三大原廠（三星、SK海力士、美光）正持續(xù)將晶圓產(chǎn)能向先進制程傾斜，以滿足AI基礎(chǔ)建設(shè)帶動的HBM（高帶寬內(nèi)存）及Server DRAM的爆發(fā)式需求。
在此戰(zhàn)略下，三大原廠不斷縮減DDR4與其他成熟制程的投片配置，導(dǎo)致DDR4等Consumer DRAM需求方被迫轉(zhuǎn)向其他供應(yīng)商尋求支持。隨著訂單需求顯著超過廠商可供應(yīng)的出貨量，南亞科、華邦電子等廠商的議價優(yōu)勢顯著增強。在供應(yīng)有限的局面下，這些廠商也采取策略性縮減低毛利產(chǎn)品的投片比重，以改善獲利結(jié)構(gòu)。
成本壓力倒逼“規(guī)格倒退”，缺貨壓力逐級傳導(dǎo)
需求端的壓力同樣不容忽視。在Consumer DRAM顆粒供給持續(xù)緊縮、合約價連月攀升的背景下，部分品牌與ODM廠商出于對整機成本控制的考量，已著手下修D(zhuǎn)RAM規(guī)格。
具體而言，下游廠商開始自DDR4降規(guī)格改為采用DDR3，或自DDR3進一步降規(guī)格改為采用DDR2，試圖以較低容量或更舊的制程世代，爭取相對足夠的DRAM出貨配額。這種罕見的“規(guī)格倒退”現(xiàn)象，使得缺貨壓力沿著制程世代逐級向下傳導(dǎo)，最終引爆了DDR2等早已被邊緣化的成熟產(chǎn)品需求。
供應(yīng)格局生變：華邦電子淡出，晶豪科技補位
從DDR2的供應(yīng)格局來看，主要供應(yīng)商包括華邦電子（Winbond） 及晶豪科技（ESMT） 。值得關(guān)注的是，華邦電子正逐步退出DDR2顆粒的生產(chǎn)，并將相關(guān)產(chǎn)能轉(zhuǎn)投至DDR3、DDR4/LPDDR4等毛利相對更高的品類。此舉將進一步加劇DDR2的緊缺市況。
另一方面，晶豪科技則計劃在力積電既有的產(chǎn)能配額內(nèi)，集中資源生產(chǎn)DDR2以最大化獲利，并試圖補足華邦電子退出所導(dǎo)致的供給缺口。一退一進之間，DDR2市場的供應(yīng)格局正在重塑。
舊世代DRAM的暴漲看似反常，實則是AI時代資源再分配的必然結(jié)果。當(dāng)HBM的高利潤吸引走所有先進產(chǎn)能，原本穩(wěn)固的DRAM供應(yīng)體系自下而上產(chǎn)生連鎖反應(yīng)。這場由“排擠效應(yīng)”引發(fā)的結(jié)構(gòu)性缺貨，短期內(nèi)仍難看到緩解跡象，臺系DRAM廠商在舊世代產(chǎn)品上的議價話語權(quán)正持續(xù)放大。
