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美国对华HBM出口管制规则公布
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三星将展示42.5Gbps超高速24GB GDDR7显存
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三星电子官宣2025年度重大组织与高管结构调整
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2024Q3全球DRAM市场营收260.2亿美元
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TrendForce预计2025年DRAM价格将下跌
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ASML在2024 年投资者日会议上就市场机遇提供最新看法
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TrendForce研报预计2025年DRAM 价格将下跌
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DDR4内存正逐渐被放弃
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铠侠宣布斥资16.75亿元研发下一代内存
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TrendForce预测2025年DRAM产量同比增长25%
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SK海力士展出全球首款16层HBM3E芯片
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三星半导体业务三季度获利环比大跌40%
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三星前员工涉嫌向韩国泄露国产内存秘密被中国警方逮捕
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消息称三星下代400+层V-NAND 2026年推出
發表于：2024/10/30 上午11:22:15
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消息称三星本月成功研制首批1c nm DRAM良品晶粒
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三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通过英伟达认证
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TrendForce预测2024年第四季度DRAM价格涨幅放缓
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摩根士丹利报告显示DRAM市场寒冬将至
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两名前三星员工涉嫌泄露价值32亿美元商业机密被捕
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英飞凌支付7.5亿欧元与奇梦达和解
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2024年第二季DRAM产业营收环比增长24.8%
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消息称三星电子确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资
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机构预计2024年DRAM收入将激增至980亿美元
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传称三星将转移30%产能生产HBM
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DRAM和NAND现货价格下跌 短期内难以回升
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消息称美光正在全球扩张HBM内存产能
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消息称三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
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南亚科技首款1Cnm制程DRAM内存产品明年初试产
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