消費電子最新文章 闪迪新专利将NAND堆叠于GPU之下破解AI内存墙 6 月 22 日消息，闪迪正在研发更多创新方案以解决存储容量受限问题，例如在芯片内部堆叠 NAND 闪存。人工智能行业飞速发展，算力需求同步激增，各类性能瓶颈随之暴露，这倒逼 DRAM 与 NAND 闪存厂商跳出固有思维、探索突破性技术路线。 發表于：2026/6/22 特朗普官宣苹果牵手英特尔在美国造芯 当地时间6月18日，美国总统唐纳德·特朗普在自家的Truth Social社交平台发文宣布，苹果公司已同意与英特尔合作，在美国本土设计并制造芯片。 發表于：2026/6/22 苹果CEO库克称产品涨价不可避免！ 6月18日消息，苹果公司CEO蒂姆·库克在近期在接受《华尔街日报》的专访中罕见地就产品定价策略松口，坦言由于DRAM和NAND芯片成本的持续飙升，苹果上调产品售价已“不可避免” 。同时，他还透露，应该审视包括中国供应商在内的所有的供应来源。 發表于：2026/6/22 铠侠称NAND超级周期将至少持续至2028年 2026年的存储芯片市场正上演一场史无前例的供需变局。日本存储巨头铠侠（Kioxia）在6月初的投资者日上抛出重磅信号，宣告NAND Flash市场已进入一个由AI推理需求与结构性供给约束共同驱动的“超级周期”，这一势头预计将至少延续至2028年。 發表于：2026/6/22 龙芯中科发布纯血全自研工作站 6月18日消息，日前，龙芯中科宣布，联合砺算科技、挚科正式发布乾启ZK3C60S-W全自研国产专业工作站。 發表于：2026/6/18 SK海力士宣布交付12层堆叠HBM4E样品 6月18日，存储芯片大厂SK海力士宣布，凭借长期累积的HBM领先开发能力与量产经验，已成功向主要客户提供12层堆叠HBM4E样品。SK海力士表示，公司将与主要客户密切合作，确保产品能如期进入量产阶段。 發表于：2026/6/18 ASIC平台放量 MLCC需求进入高峰 6月17日讯 随着全球AI军备竞赛持续升温，MLCC需求有望持续扩张。 發表于：2026/6/18 N350赋能算力升级 铁威马F4-425 Pro开售 新机配备Intel® Core™ i3-N350处理器，依托强劲算力、16GB DDR5大内存、4+3混合存储架构、双5GbE高速网口四大硬核配置。 發表于：2026/6/18 三星电子展示全球首款5nm MRAM研发成果 6 月 17 日消息，据韩媒 SEDaily 当地时间 12 日消息，三星电子在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上展示了全球首款 5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。 發表于：2026/6/18 我国团队攻克国产芯片编译优化核心瓶颈 6月17日消息，大连理工大学“双擎智译”科研团队自主研发的OSCAR智能编译优化系统，攻克了国产芯片编译优化核心瓶颈，有效提升国产处理器高性能编译水平，为国产芯片性能迭代与生态建设提供了可靠技术方案。 發表于：2026/6/18 字节跳动加量采购国产芯片 字节跳动数据中心建设进展再添新消息，行业人士称字节跳动正与天数智芯讨论采购至少5万颗AI芯片，主要用于推理工作。 發表于：2026/6/18 美国FCC放宽中国无人机禁令 符合标准的玩具机型可进口 6月17日消息，据媒体报道，美国联邦通信委员会（FCC）宣布政策调整，允许符合严苛标准的中国玩具无人机新型号进口美国。 發表于：2026/6/18 显卡AI与传统HPC高性能计算所需算力陷入背离 6月17日，针对当前GPU算力向AI方向迁移、低精度算力迭代升级，而HPC高性能计算仍对FP64高精度算力有强需求的现状，一篇提出用FP8架构硬件模拟FP64性能的论文引发HPC社区热议，相关讨论聚焦GPU厂商是否将放弃硬件原生FP64设计。AMD AI与超算业务总监Joseph George明确表态，AMD不会放弃原生FP64算力，旗下Instinct系列GPU可兼容FP4、FP6、FP8等多档低精度算力，也支持通过对应方案用FP8模拟FP64，同时保留原生FP64运行能力，面向科研场景提供全维度算力支持。 發表于：2026/6/18 我国智能产品质量安全风险控制知识库建设取得突破 6月17日消息，近期，针对智能产品风险机理复杂、基础知识库缺失等行业性难题，市场监管总局组织国内优势科研力量开展关键技术攻关，在智能产品质量安全风险控制知识库建设方面取得重大突破。 發表于：2026/6/18 三星造出全球最小3D堆叠晶体管！ 6月17日消息，三星电子半导体研究中心在6月14日至18日举行的2026年超大规模集成电路研讨会上发表了题为“首次演示栅极间距为42纳米的3D堆叠场效应晶体管，该晶体管采用三层堆叠纳米片沟道，适用于先进逻辑应用”的论文。 發表于：2026/6/18 <…3456789101112…>
