6 月 17 日消息，據(jù)韓媒 SEDaily 當?shù)貢r間 12 日消息，三星電子在 2026 年度 IEEE VLSI 研討會上展示了全球首款 5nm MRAM（磁性隨機存取存儲器）的研發(fā)成果。
▲ MRAM 結構示意
相較 DRAM，MRAM 的一大優(yōu)勢是其具備非易失性 (Non-Volatile)，無需頻繁刷新，幾乎可以無限期地保留信息，從而實現(xiàn)了能效端的優(yōu)勢。
三星電子的 5nm MRAM 擁有 -40~+150 ℃ 的寬廣工作環(huán)境溫度范圍，能滿足 AEC-Q100 標準要求，正朝 2027 年量產(chǎn)的既定目標穩(wěn)步推進。
三星電子今年早些時候在另一場學術會議上展示了 8nm MRAM，基于 8nm MRAM 的邊緣 AI 芯片也在今年 5 月完成了流片。
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