頭條 Imec在铁电存储器研究方面取得突破 在2026年IEEE / JSAP超大规模集成电路技术与电路研讨会上，作为全球领先的先进半导体技术研究与创新中心，imec展示了铁电存储器研究的两项进展，重点将铁电电容器和铁电场效应晶体管作为新兴候选材料，以实现低压工作和高密度集成。 最新資訊 国产超算时隔九年再度登顶全球 6月23日下午，在德国汉堡国际超算大会（ISC2026）上，新一期全球超算TOP500榜单公布。其中全国产自主研制的“灵晟”超级计算机，以2.19EFlops（每秒10的18次方浮点运算）持续双精度浮点性能登顶。 發表于：2026/6/24 全球十大超算AMD独占四席！ 6月23日消息，在最新一届全球超级计算机TOP500和Green500榜单中，AMD表现亮眼。全球速度最快的10台超级计算机中，有4台采用AMD EPYC™ CPU和AMD Instinct™ GPU；全球能效最高的10台超算中，同样有4台由AMD技术驱动。 發表于：2026/6/24 闪存芯片2030年后突破1000层堆栈 6月23日消息，进入3D时代之后，提升NAND闪存容量的关键技术就是堆栈的层数了，现在量产的也就300多层，再过5年就要奔向1000层以上了。 發表于：2026/6/24 三星发布业界首款端侧AI优化型UFS 5.0闪存 6月23日，三星电子宣布，已成功开发出业界首款通用闪存存储（UFS）5.0产品系列，专为设备端AI（On-Device AI）环境进行优化。该方案基于三星第九代V-NAND（V9）闪存技术，并遵循JEDEC最新嵌入式存储接口标准，旨在满足端侧AI对高速、低延迟数据处理的严苛需求。 發表于：2026/6/24 德州仪器校企合作三十年: 创新助力人才培养 当 AI 从云端走向边缘，从实验室走向工业现场和智能汽车，一个强调感知、决策与执行闭环的时代正在加速到来。在这场变革中，企业面临的挑战已不再是单纯追求更高的算力，而是如何将 AI 能力融入复杂的实际应用场景，真正转化为可规模化部署的系统能力。 發表于：2026/6/23 全球首款 国产百万级原子光镊阵列芯片发布 6月23日消息，上海璇相科技近日成功研制出全球首款可产生百万级原子光镊阵列的超表面芯片。该芯片在约4毫米直径的工作区域内生成了百万级光镊位点，是目前公开报道中超表面光镊阵列达到的最大规模。 發表于：2026/6/23 HBM与DDR5产品侵权 三星存储业务在美遭专利狙击 6 月 22 日消息，三星因其高端存储产品在美国陷入专利纠纷。Netlist 已向美国国际贸易委员会（ITC）及美国得克萨斯州东区联邦地区法院（EDTX）提起诉讼，指控这家韩国企业的高带宽内存（HBM）与 DDR5 产品涉嫌专利侵权。 發表于：2026/6/23 三星Exynos 2700将采用全新SbS散热技术 6月22日消息，据外媒Wccftec报道，韩国三星电子正积极开发基于其2nm制程的下一代旗舰移动处理器Exynos 2700，以展现其在先进制程技术上的实力。但市场消息指出，三星的2奈米GAA制程在功耗、性能与面积（PPA）等关键指标上，目前仍落后于竞争对手台积电的N2P制程。为了弥补潜在的制程劣势并维持竞争力，三星正致力于研发突破性的SbS散热解决方案，力图在旗舰芯片市场中站稳脚步。 發表于：2026/6/23 英诺赛科再获德国法院不侵权判决 2026年6月19日，英诺赛科通过官网宣布，根据慕尼黑地区法院于17日作出的两项裁决，英诺赛科当前销售的氮化镓（“GaN”）功率器件产品不落入英飞凌主张的德国专利保护范围，因而在德国不受限制。 發表于：2026/6/22 中国科学院微电子所突破3D DRAM技术 6 月 20 日消息，中国科学院微电子研究所 6 月 17 日发布消息称，集成电路制造技术全国重点实验室团队联合北京超弦设备研究院，在基于 IGZO（铟镓锌氧化物）的 2T0C 三维动态随机存取存储器（3D DRAM）研究方面取得新进展，并提出基于 2T0C 单元结构的单步高层三维集成方案，首次展示了四层 3D 2T0C 结构。 發表于：2026/6/22 <12345678910…>
