EDA與制造相關文章 海南核电打通核级离子交换树脂国产化关卡 7 月 15 日消息，“中国核电”公众号今天（7 月 15 日）发布博文，报道称国产核级离子交换树脂通过中国核能行业协会权威产品鉴定。 發表于：2026/7/15 SEMI预测全球半导体设备销售额年增长率接近20% 7 月 15 日消息，SEMI（国际半导体产业协会）美国加州当地时间昨日发布最新预测，认为全球半导体设备市场销售额将从 2025 年的 1347 亿美元增长到 2028 年的 2295 亿美元，2026~2028 三年间 CAGR（复合年增长率）多达 19.44%。 其中 2026 年总销售额将达 1659 亿美元，同比增幅为 23.2%；2027 年则有望跨越 2000 亿美元大关。 發表于：2026/7/15 日均产量超15亿块 我国半年狂造2798亿块芯片 7 月 15 日消息，国家统计局新闻发言人、国民经济综合统计司负责人王冠华回应记者提问时表示，经过多年的布局和发展，我国新兴产业逐步发展壮大、积厚成势。 發表于：2026/7/15 中国垄断70%英伟达AI芯片PCB 7月14日消息，据报道，2025年全球PCB总产值达850亿美元，中国独占近六成。英伟达AI服务器所需的高端PCB，中国厂商供应了其中七成。 發表于：2026/7/15 晶圆产能跟不上 美国银行报告认为内存供应无法快速缓解 虽然现在韩国在居全国之力扩大内存产量，SK海力士和三星在韩国京畿道龙仁半导体国家产业园区的新工厂也将提前一至两年投产，但韩国媒体引用美国银行分析报告称，关于内存扩产的数字整体上并不现实，尤其是在韩国的时间表内。 發表于：2026/7/15 力积电2026年7月存储晶圆代工报价大涨45% 7 月 14 日消息，晶圆代工业者力积电 (PSMC) 今日举行线上法人说明会，公布 2026Q2 营运结果。该企业总经理朱宪国表示，其本月已将存储晶圆投片价格上调 45%，逻辑半导体代工服务价格也有 10~15% 涨幅。 發表于：2026/7/15 闻泰科技2026年半年度由盈转亏 7 月 14 日消息，闻泰科技今日发布 2026 年半年度（2026 年 1 月～2026 年 6 月）业绩预告报告 發表于：2026/7/15 长鑫科技确定发行价8.66元/股 7月16日启动申购 7 月 14 日消息，国产 DRAM 存储芯片龙头长鑫科技发公告称，公司首次公开发行股票并在科创板上市，发行价格为 8.66 元 / 股。 發表于：2026/7/15 英特尔18A-P工艺拿下苹果M7处理器订单 7月13日消息，在美国政府的撮合下，苹果应该是首个大规模使用Intel代工的美国芯片公司了，双方的合作成果之一就是下下代的M7处理器。 發表于：2026/7/14 博世首座美国晶圆厂试产 未来5年投资75亿美元 7月14日消息，博世宣布在美国加州Roseville的半导体工厂启动样品生产，这是博世在美国的第一家芯片厂，总投资20亿美元（约135.7亿元人民币）。该工厂2023年从TSI Semiconductors收购并改造，获得美国商务部2.25亿美元（约15.3亿元人民币）资金支持，来自CHIPS法案，预计今年晚些时候开始商业生产。 發表于：2026/7/14 元器件成本持续攀升 入门级手机产品减少 7月13日消息，据Omdia最新分析，存储成本持续上涨带来的财务压力正迫使智能手机厂商进一步收缩入门级产品布局，并将产品重心向利润率更高的中高端机型转移。 發表于：2026/7/13 英特尔携ZAM和XBM存储器架构重返DRAM市场 7月13日消息，英特尔正推进两种全新存储器架构对HBM形成竞争。此前英特尔宣布与软银子公司SAIMEMORY合作开发ZAM技术，项目于2026年第一季度启动运营，预计2027年推出原型产品，2030年实现商业化，该架构弃用传统垂直硅通孔设计，宣称功耗较HBM降低40%至50%，单芯片容量最高达512GB，为现有HBM的2至3倍，量产成本仅为HBM的60%。同步推进的XBM架构采用后端晶体管DRAM堆叠设计，最高速率32GT/s，可取消HBM所需硅中介层以降低封装成本。两类技术基础源自美国能源部支持的研发项目，目前相关技术落地仍存多重考验，英特尔此举能否撼动HBM的主导地位尚待验证。 發表于：2026/7/13 中国光谷开建泛半导体洗净再生基地 据“中国光谷”微信公众号消息，7月9日，武汉富乐德精密洗净再生服务基地项目在光谷智能制造产业园（简称“光谷智造园”）正式开工。 發表于：2026/7/13 曝Tensor G6芯片将率先用上台积电2nm工艺 7月13日消息，据中国台湾地区媒体《经济日报》今天报道，台积电 2nm 制程工艺已开始量产。出人意料的是，谷歌这次似乎抢到了沙发，其 8 月中旬推出的Pixel 11系列手机，预计将搭载台积电 2nm 打造的 Tensor G6芯片，比苹果还早一个月。 發表于：2026/7/13 韩国大学研发新型芯片堆叠技术 7月10日消息，韩国浦项工科大学（POSTECH）研究团队近日宣布开发出一项全新的内存芯片堆叠技术，能够在低温低压条件下稳定堆叠10层以上的超薄半导体芯片，其集成密度约为现有HBM（高带宽内存）的4倍。这项突破性成果为解决AI算力基础设施面临的“内存墙”难题提供了重要的技术路径。相关研究成果已发表于国际学术期刊《Results in Engineering》网络版。 發表于：2026/7/13 <12345678910…>
