7月27日消息，三星在HBM（高帶寬內存）上繼續往前加碼，這次瞄準的是下一代HBM5。

三星電子相關負責人在技術發聲中表示，HBM5預計需要在HBM4E基礎上把運行速度再提升50%以上，為此三星計劃在HBM5的底座芯片（Base Die）上直接導入2nm工藝。

這個底座芯片，就是HBM堆疊結構最下層、負責和GPU等外部處理器交換數據的關鍵邏輯芯片，從HBM4開始，底座芯片就已經從傳統存儲工藝切換到了更先進的代工工藝，HBM5再往前一步上2nm，說明廠商已經把底座當成決定整體性能和功耗表現的核心戰場來打。

技術上，三星計劃在2nm底座芯片上采用GAA晶體管結構，也就是全環繞柵極結構，同時還會繼續提升TSV硅通孔的堆疊密度，為后續更高容量和更高帶寬的HBM產品做準備。

換句話說，HBM5不只要更快，還要在集成度和能效上繼續補短板。

回顧上一代產品，三星今年2月已經量產HBM4，5月又出樣了HBM4E 12層樣品，目前底座芯片用的是成熟度更高的4nm第四代工藝。

現在先發布HBM5的工藝規劃，也表明三星想在下一代HBM競爭中更早把路線圖講清楚。

除了存儲本身，三星這次還強調了自己的“turnkey”一體化優勢，也就是從存儲、代工到先進封裝一起做，試圖通過更早介入設計階段，把速度、功耗、散熱和良率一起優化。

這類打法在AI芯片競爭越來越激烈的當下，其實就是在搶下一代高端方案的定義權。

從更現實的角度看，這次釋放的信息還有一個重要背景，那就是高端HBM需求仍很緊張。

三星一方面在推進2nm底座芯片方案，另一方面也在借HBM4、HBM4E和代工業務持續擴大客戶合作，目的就是在AI算力芯片生態里站穩更靠前的位置。