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imec发布制程路线图 2038年有望实现0.3纳米工艺
發(fā)表于：2026/7/2 下午9:42:02
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Imec在铁电存储器研究方面取得突破
發(fā)表于：2026/6/22 上午9:34:32
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ASML台积电与imec三方合作推进2D材料晶体管开发
發(fā)表于：2026/6/18 上午9:16:06
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imec构建全球首个High NA EUV光刻量子点量子比特器件
發(fā)表于：2026/5/20 上午10:20:14
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imec旗下IC-Link加入台积电3DFabric联盟
發(fā)表于：2026/5/15 上午9:19:56
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ASML High NA EUV光刻机入驻imec亚2nm中试线
發(fā)表于：2026/3/19 上午10:00:23
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IMEC欧洲微电子中心提出EUV光刻后烘培阶段优化方案
發(fā)表于：2026/3/2 上午9:14:28
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阿斯麦EUV光刻机实现纳米孔全晶圆级制造
發(fā)表于：2025/12/22 上午9:50:20
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联电获imec 300mm硅光子学平台授权
發(fā)表于：2025/12/9 下午1:35:13
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imec在HBM与GPU进行3D堆叠散热方面获得突破
發(fā)表于：2025/12/9 上午11:30:45
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imec宣布取得两项High NA EUV光刻突破性成就
發(fā)表于：2025/9/30 上午10:55:52
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3D DRAM接近现实 研究人员使用先进沉积技术实现120层堆栈
發(fā)表于：2025/8/25 上午11:01:00
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Infinitesima与imec合作推动埃米级晶圆量测技术发展
發(fā)表于：2025/7/28 上午9:06:21
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IMEC发布至2039年半导体工艺路线图
發(fā)表于：2025/6/25 下午1:26:56
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imec CEO呼吁业界转向三维可重构AI芯片
發(fā)表于：2025/5/20 下午1:16:15
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ASML和imec签署战略合作协议
發(fā)表于：2025/3/12 上午11:19:20
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欧洲1nm和光芯片试验线启动
發(fā)表于：2025/1/21 上午9:47:00
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imec首次在12吋硅片上实现电泵浦GaAs基纳米脊激光器制造
發(fā)表于：2025/1/13 上午11:19:18
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imec为0.7nm技术节点推出双排CFET架构
發(fā)表于：2024/12/9 上午11:25:30
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imec与Arm等欧洲公司签署汽车Chiplet计划
發(fā)表于：2024/10/14 上午8:19:00
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ESIA呼吁欧盟通过加速制定芯片法案2.0等方式支持行业发展
發(fā)表于：2024/9/5 上午8:22:00
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imec首次成功利用High NA EUV光刻机实现逻辑DRAM结构图案化
發(fā)表于：2024/8/8 上午10:07:16
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imec Si MOS量子点制造实现了创纪录的低电荷噪声
發(fā)表于：2024/8/6 上午10:32:00
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imec首次展示功能性单片CFET器件
發(fā)表于：2024/6/20 上午8:35:18
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阿斯麦和IMEC联合光刻实验室启用
發(fā)表于：2024/6/5 上午8:57:42
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比利时imec推出基于现有制造工具的超导处理器
發(fā)表于：2024/5/28 上午8:54:22
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比利时imec宣布牵头建设亚2nm制程NanoIC中试线
發(fā)表于：2024/5/22 上午8:58:16
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未来十年的芯片路线图
發(fā)表于：2023/5/30 上午9:30:12
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IMEC发布芯片微缩路线图：2036年进入0.2nm时代
發(fā)表于：2023/2/3 上午10:16:38
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致力2nm技术合作，Imec和日本半导体公司签约
發(fā)表于：2022/12/20 下午4:57:15
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