5 月 19 日消息，比利時校際微電子研究中心 imec 當地時間今日宣布，在本周舉行的 ITF World 國際半導體技術展覽會上，其發布了全球首個采用 High NA EUV 光刻技術制造的量子點量子比特器件，這也應該是首個 High NA EUV 工藝集成硬件器件。
▲ 圖源：imec
imec 表示，與硅基標準計算機芯片生產工藝基本兼容的硅量子點自旋量子比特是一種有工業化量產潛力的量子比特方案。其將電子限制柵極層納米結構中，以被捕獲電子的自旋狀態存儲量子信息。
為了限制環境噪聲對量子比特的干擾，各個柵極之間的間隙必須盡可能小，而 imec 借助 ASML 的 High NA EUV 光刻機實現了僅 6nm 的通道門-勢壘門間隙。
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