5月20日消息，ASML CEO傅恪禮近日正式宣布，首批采用新一代高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機制造的芯片產品將在未來數月內問世，覆蓋邏輯芯片與存儲芯片兩大核心領域。
傅恪禮指出，High-NA EUV光刻機作為面向2nm以下先進制程的核心圖形化設備，可以降低頂尖芯片的電路光刻成型成本，同時適配AI芯片、HBM/DRAM等高端存儲芯片的制造需求。
他強調，盡管設備初期投入高昂，但設計初衷正是隨著技術成熟與規模化應用，逐步攤薄單顆芯片的光刻成本。
這套設備的價格非常昂貴。就在數周前，ASML最大客戶臺積電曾公開表示，單臺High-NA EUV光刻機造價高達4億美元，約為現有EUV設備的兩倍，暫不具備大規模采用的條件。
相比之下，英特爾則積極采購High-NA EUV光刻機，并已在波特蘭工廠完成兩臺High-NA EUV光刻機的安裝，累計處理超過3萬片晶圓，目標是在2027至2028年實現14A制程大規模量產。
據悉，SK海力士也明確表示計劃采用該新技術，預計今年首次導入，用于下一代DRAM內存的生產。
相較于傳統EUV，High-NA通過提升光學系統分辨率，可實現尺寸縮小高達66%的特征，相當于相機對焦更為精準，是突破先進制程物理極限的關鍵技術。
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