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imec发布制程路线图 2038年有望实现0.3纳米工艺
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Imec在铁电存储器研究方面取得突破
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ASML台积电与imec三方合作推进2D材料晶体管开发
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imec构建全球首个High NA EUV光刻量子点量子比特器件
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imec旗下IC-Link加入台积电3DFabric联盟
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ASML High NA EUV光刻机入驻imec亚2nm中试线
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阿斯麦EUV光刻机实现纳米孔全晶圆级制造
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联电获imec 300mm硅光子学平台授权
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imec在HBM与GPU进行3D堆叠散热方面获得突破
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imec宣布取得两项High NA EUV光刻突破性成就
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3D DRAM接近现实 研究人员使用先进沉积技术实现120层堆栈
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Infinitesima与imec合作推动埃米级晶圆量测技术发展
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IMEC发布至2039年半导体工艺路线图
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imec CEO呼吁业界转向三维可重构AI芯片
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ASML和imec签署战略合作协议
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欧洲1nm和光芯片试验线启动
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imec首次在12吋硅片上实现电泵浦GaAs基纳米脊激光器制造
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imec为0.7nm技术节点推出双排CFET架构
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imec与Arm等欧洲公司签署汽车Chiplet计划
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ESIA呼吁欧盟通过加速制定芯片法案2.0等方式支持行业发展
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imec首次成功利用High NA EUV光刻机实现逻辑DRAM结构图案化
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imec Si MOS量子点制造实现了创纪录的低电荷噪声
發表于：2024/8/6 上午10:32:00
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imec首次展示功能性单片CFET器件
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阿斯麦和IMEC联合光刻实验室启用
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比利时imec推出基于现有制造工具的超导处理器
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比利时imec宣布牵头建设亚2nm制程NanoIC中试线
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未来十年的芯片路线图
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IMEC发布芯片微缩路线图：2036年进入0.2nm时代
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