EDA與制造相關(guān)文章 联电宣布启动选择性涨价 明年将全面涨价 5月27日，晶圆代工大厂联电（UMC）召开股东常会，管理层解析了一季度财报，并宣布与英特尔合作的12纳米FinFET制程将于2027年下半年在美国亚利桑那州英特尔晶圆厂量产。同时，因为成本压力上升，联电将于下半年启动选择性涨价，明年有望全面调涨报价。此外，联电正积极切入先进封装与硅光子领域，寻找晶圆代工之外的新成长动能。 發(fā)表于：2026/6/1 闻泰科技：安世中国独立运营体系已基本完成搭建 5月29日消息，闻泰科技董事长杨沐近日宣布，安世中国独立运营体系已基本完成搭建，安世中国核心管理、研发、市场团队扎根中国，拥有完整经营决策权，能够精准匹配中国高端制造的需求，并快速响应全球市场。 發(fā)表于：2026/5/29 比亚迪成为全球唯一一家拥有芯片全流程制造能力车企 李云飞分享的图片显示，比亚迪是全球唯一一家拥有芯片全流程制造能力的车企，覆盖产品定义、架构设计、电路设计、版图设计、晶圆制造、封装、芯片测试等流程。 發(fā)表于：2026/5/29 英特尔EMIB-T细节公布 芯片可直接嵌入硅网桥 在去年4月的英特尔代工大会上，英特尔发布了最新的2.5D先进封装技术，其中就包括了面向未来高带宽内存需求的EMIB-T先进封装技术，这也是首个使用 TSV 通过桥接器发送信号（而非绕过桥接器）的 EMIB 实现，主要面向Die to HBM4互联。 發(fā)表于：2026/5/29 从4层到6层PCB 差别在哪里 从Wi-Fi 6/7路由器、独立显卡，到PLC控制模块、便携医疗设备和无人机主板，很多高性能电子产品背后都离不开6层PCB。相比常见的2层板、4层板，6层PCB并不是简单“多了两层铜”，而是为更复杂的布线、更稳定的电源、更好的信号完整性和更高的系统可靠性提供了空间。 發(fā)表于：2026/5/29 涉闻泰业务收购 立讯精密被罚 处罚决定书显示，立讯精密在收购相关业务时，未依法事先申报即实施经营者集中，违反了《反垄断法》相关规定，构成违法实施经营者集中。经评估，该项集中不具有排除、限制竞争的效果。综合考虑违法行为的性质、程度、持续时间及消除后果等情况，市场监管总局决定对立讯精密处以90万元罚款。 發(fā)表于：2026/5/28 台积电计划3nm制程再次涨价 "5月27日消息，台积电计划于下半年再度上调3纳米制程报价，涨幅最高达15%，后续还可能进一步上涨5%至10%。此轮涨价并非单一客户拉货所致，是AI时代先进制程供需结构发生根本性转变的集中体现。过往3纳米制程需求主要来自智能手机SoC，当前英伟达、AMD、谷歌、AWS及多家云端服务商加速导入3纳米，叠加大型云服务商积极布局自研ASIC拓宽需求来源，3纳米投片需求快速升温，先进制程供应持续紧张。2026年第一季度台积电合并营收约11341亿元新台币（约合2446.25亿元人民币），同比增长35.1%，环比增长8.4%，其中3纳米制程出货占晶圆销售金额的25%。" 發(fā)表于：2026/5/28 长鑫科技IPO成功过会 2026年5月27日，上交所官网显示，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）科创板IPO成功过会。上交所上市审核委员会认为，长鑫科技符合发行条件、上市条件和信息披露要求。 發(fā)表于：2026/5/28 三星罢工威胁正式消除 薪酬协议通过 5月27日消息，据韩联社报道，三星电子管理层与工会就2026年工资谈判达成的初步协议在工会投票中获得了70%以上的赞成票通过，随后双方在京畿道龙仁市箕兴的三星电子The UniverSE举行了签约仪式，正式签署了该协议。至此，三星电子的工会总罢工威胁终于是消除了。但是，由于三星电子内外对该协议和工会投票有效性的反对声浪持续不断，在彻底实现稳定之前还有许多障碍需要克服。 發(fā)表于：2026/5/28 传AMD Zen7核心将采用台积电A14制程 据外媒techpowerup报道，供应链消息显示，AMD下一代 Zen 7 芯片将采用台积电A14制程打造，并搭配新一代3D V-Cache技术，同时还将采用力成FOPLP（扇出型面板级封装）方案。 發(fā)表于：2026/5/28 AMD 调整 Vivado 授权规则引争议 AMD 要求 Linux 平台的 Vivado 芯片设计工具用户付费使用新版软件，否则只能继续使用即将停止维护的旧版本。 發(fā)表于：2026/5/27 主要NAND原厂2026年几无新增产能 5 月 25 日消息，机构 TrendForce（集邦）今日根据最新 NAND 闪存产业调查表示，主要 NAND 原厂今年几无新增产能。而由于 AI 需求持续强劲，因此 NAND 的供给短缺预计持续整个 2026 年。 發(fā)表于：2026/5/26 SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM” 5月26日，SK海力士发布名为iHBM的控温散热存储技术。该技术核心为新开发的冷却元件ICE，采用绝缘、高导热性硅基材料制成，不同于传统HBM产品依赖核心芯片向外导热的间接散热方式，iHBM将ICE直接嵌入发热最集中的D2D PHY区域构建专用排热通道，相比传统方案热阻降低30%以上，有效提升严苛环境下的产品运行稳定性。该技术采用已广泛验证的先进MR-MUF晶圆级封装工艺，可实现规模化稳定量产，且兼容现有系统级封装环境，导入门槛较低。SK海力士计划将该技术应用于HBM5等下一代产品，满足高性能计算及AI数据中心等场景的散热管理需求。 發(fā)表于：2026/5/26 美光HBM4产出效率暴涨2倍 明年量产HBM4E已锁定 5月25日消息，据报道，美光第六代高带宽内存HBM4产能爬坡进展顺利，其产能提升速度较上一代HBM3 12层产品实现2倍增长，且良品率优化速度显著加快。 發(fā)表于：2026/5/26 三星罢工再生变故 非半导体部门申请法院禁令 5月25日消息，据报道，以三星电子非半导体DX部门（含手机、家电、电视）为主的三大工会，向水原地方法院申请临时禁令，要求停止2026年劳资暂定薪资协议的全员投票程序，投票原定5月27日上午10点截止。 發(fā)表于：2026/5/26 <…12131415161718192021…>
