7月1日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星首席技術(shù)官在近日舉行的DS（器件解決方案）部門內(nèi)部經(jīng)營說明會(huì)上透露，其下一代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4E的可靠性測試良率已提升至70%以上。

業(yè)界通常將80%以上視為工藝成熟的“穩(wěn)定良率”門檻，而HBM4E目前仍處于可靠性測試階段，70%以上的水平被認(rèn)為標(biāo)志著開發(fā)進(jìn)程已正式進(jìn)入穩(wěn)定區(qū)間。

在同一場合，該首席技術(shù)官還表示，三星在下一代10納米級第七代DRAM工藝（D1d）上已取得相較于競爭對手的技術(shù)優(yōu)勢，并計(jì)劃于今年11月完成生產(chǎn)準(zhǔn)備認(rèn)證（PRA）。

此前，三星已向主要客戶交付了業(yè)界首批12層48GB HBM4E樣品。據(jù)三星介紹，作為HBM4的迭代升級產(chǎn)品，12層HBM4E采用第六代10納米級DRAM工藝（1c）及三星晶圓代工的4nm邏輯基片，在性能、容量、能效與散熱方面均實(shí)現(xiàn)顯著提升，主要面向大模型、生成式AI及高性能計(jì)算等場景。

與HBM4相比，HBM4E可提供穩(wěn)定的14 Gbps引腳傳輸速度，并可擴(kuò)展至16 Gbps，以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理需求。整體性能提升超過20%，每個(gè)堆棧的內(nèi)存帶寬高達(dá)3.6 TB/s，有助于最大化大模型及下一代AI系統(tǒng)的計(jì)算潛力。

容量方面，HBM4E提供48GB，較上一代產(chǎn)品增加30%以上。三星還計(jì)劃根據(jù)客戶需求擴(kuò)展產(chǎn)品線，包括32GB（8層）和64GB（16層）配置。

此外，得益于低功耗設(shè)計(jì)與封裝工藝優(yōu)化，產(chǎn)品能效提升了16%，熱阻改善了超過14%，散熱效率顯著增強(qiáng)，有助于降低AI數(shù)據(jù)中心在高負(fù)載下的能耗。