5 月 11 日消息，韓媒 ETNEWS 當(dāng)?shù)貢r間今日報道稱，在 DRAM 尤其是 HBM 業(yè)務(wù)競爭力恢復(fù)后，三星電子設(shè)備解決方案 (DS) 部開始就重啟半導(dǎo)體新業(yè)務(wù)的研發(fā)和投資進(jìn)行討論。
此次討論的重點包括下一代 (V10) NAND 閃存、化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝及基板，都是處于三星電子技術(shù)路線圖上但進(jìn)展相對緩慢的領(lǐng)域。隨著內(nèi)部資源出現(xiàn)富余，三星半導(dǎo)體正瞄準(zhǔn)下一階段的增長。
三星電子在 2024 年 4 月和 9 月先后宣布其第九代 286 層 V-NAND 的 TLC 和 QLC 版本進(jìn)入量產(chǎn)階段，此后一直未上線新的 NAND 工藝節(jié)點。換句話說其量產(chǎn)制程出現(xiàn)了超過 2 年的停滯。
從目前媒體側(cè)的消息來看，三星電子的 V10 NAND 堆疊層數(shù)將躍升至 400 以上，提升單位晶圓的容量產(chǎn)出。而為了達(dá)成這一目標(biāo)，該企業(yè)需要引入一系列的工藝創(chuàng)新。
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