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英伟达坚持HBM:SRAM应用于AI芯片容量瓶颈是硬伤

2026-01-08
來源:IT之家
關鍵詞: 英伟达 HBM SRAM CES2026

1 月 8 日消息,科技媒體 Tom's Hardware 今天(1 月 8 日)發布博文,報道稱在 CES 2026 展會期間的問答環節,英偉達首席執行官黃仁勛針對“是否用更廉價的 SRAM 取代昂貴的 HBM”這一行業熱點進行了回應。

注:SRAM 全稱為 Static Random Access Memory,直譯為靜態隨機存取存儲器,是高速小容量的靜態緩存,基于觸發器,速度極快但成本高、密度低;HBM 是超高帶寬、大容量的 3D 堆疊式主存(基于 DRAM),通過垂直堆疊實現超高帶寬,功耗低、容量大,主要用于 AI / GPU,兩者定位不同,SRAM 是片上緩存,HBM 是系統級高帶寬內存,共同服務 AI 算力需求。

AI 行業當前正積極尋找降低成本的途徑。隨著 SRAM 加速器、GDDR 推理方案以及開放權重模型的興起,業界出現了一種聲音,認為這些低成本方案可以緩解對英偉達昂貴組件的依賴。

特別是在基準測試(Benchmark)和受控演示中,SRAM 憑借極高的訪問速度和無延遲特性,展現出了誘人的性能優勢,甚至被視為 HBM 的潛在替代者。

黃仁勛并未否認 SRAM 的速度優勢。他直言:“對于某些特定工作負載,SRAM 快得驚人。”然而,一旦進入生產級 AI 系統,SRAM 的優勢便會因容量瓶頸而崩塌。

黃仁勛指出,SRAM 的容量增長速度遠跟不上現代模型的需求,其可容納的模型規模僅為 HBM 系統的百分之一。在模型因上下文增加或功能擴展而溢出 SRAM 時,系統被迫調用外部內存,導致效率優勢瞬間消失。

黃仁勛進一步剖析了 AI 工作負載的不可預測性。現代 AI 模型形態各異,包含混合專家模型(MOE)、多模態任務、擴散模型及自回歸模型等。

這些架構對硬件的壓力點截然不同:有的依賴顯存容量,有的依賴互連帶寬(NVLink),且需求時刻在變。如果硬件針對某一特定模式(如純 SRAM)過度優化,一旦工作負載發生變化,昂貴的芯片就會閑置。

基于此,英偉達堅持選擇 HBM 路線。黃仁勛認為,在共享數據中心中,靈活性是決定經濟效益的關鍵。即使某種專用硬件在 5%-10% 的任務中表現極致,但如果無法處理其余 90% 的通用任務,就會造成巨大的資源浪費。

相比之下,HBM 方案雖然物料成本更高,但能適應不斷變化的算法和模型架構,確保硬件在數周甚至數月的運營周期內保持高利用率。

針對“開放模型是否會削弱英偉達壁壘”的提問,黃仁勛表示,開放并不意味著降低基礎設施要求。隨著開放模型整合更長的上下文和更多模態,其內存占用同樣會激增。

英偉達愿意承擔高昂的 HBM 成本和復雜的系統設計,正是為了保留“可選性”(Optionality),既防止客戶被鎖定在狹窄的性能范圍內,也保護自身硬件免受模型架構快速迭代的沖擊。


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