7 月 2 日消息，韓媒 ETNews 當地時間昨日報道稱，三星計劃明年三月啟動其下一代 3D NAND 閃存 —— 第十代 V-NAND 的首條量產線建設，有望當年 10 月進入全面量產階段。
據悉該產線的建設計劃為 2026 年 3 月開始設備安裝，上半年建成產線，此后進行試生產，在穩定后轉入正式量產。這一時間表晚于此前部分人士的預期。
三星電子目前最先進的 NAND 工藝為 286 層的 V9，而下代 V10 的堆疊層數將暴漲到 400 層以上（IT之家注：據悉為 430 層左右），屆時有望成為最高堆疊閃存，其還引入了超低溫蝕刻、混合鍵合等先進技術。
根據三星電子為今年 2 月的 ISSCC 2025 會議準備的演講，其 V10 NAND 的 TLC 版本可實現 28Gb/mm2 的存儲密度、5.6Gbps 的 I/O 引腳速率。
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