12月9日消息，根據韓國媒體BusinessKorea報道稱，三星電子在其半導體研究所中已經成功完成了突破性400層堆疊NAND Flash閃存技術的開發。同時，三星也自上個月開始，將這項先進技術轉移到其平澤園區一號工廠中大規模生產線。而這一重要的里程碑的達成，將使得三星處于NAND Flash技術的領先位置，將有望領先已經宣布計劃量產321層NAND Flash的SK海力士。

此前的消息顯示，三星電子計劃于2025年2月在美國舉行的2025年國際固態電路會議（ISSCC）上詳細介紹其1Tb容量400層堆疊TLC NAND Flash閃存，并且預計將于2025年下半年正式開始量產。不過，一些市場專家預測，如果加快進程，大量生產的階段可能會在明年第二季結束時開始。

除了400層NAND Flash閃存之外，三星電子2025年增加其先進內存產品線的產量。其中，三星電子計劃在平澤園區安裝新第9代（286層堆疊）的NAND Flash閃存生產設施，月產能為30,000至40,000片晶圓。此外，在中國西安工廠，三星將繼續將128層堆疊（V6）NAND Flash閃存生產線，轉換為236層堆疊（V8）NAND Flash閃存產品制程。

報道指出，三星電子400層堆疊NAND Flash閃存的開發代表了相關技術的重大進步。三星電子早在2013年就推出的3D NAND Flash閃存，提升了容量與讀取速率之后，隨著最新的400層堆疊TLC NAND Flash閃存的開發完成，顯示哲該公司在相關技術上的顯著進步。

三星電子目前在全球NAND Flash閃存市場市占率取得領先的位置，市占率為36.9%。不過，SK海力士率先在2023年量產238層堆疊的NAND Flash閃存，最近又宣布計劃量產321層堆疊的NAND Flash閃存，帶給三星很大壓力。

NAND Flash閃存市場近期受到多種因素的影響，包括消費者需求、定價趨勢，以及人工智能（AI）和數據中心等數據密集型應用的興起，在數據中心用NAND Flash的銷售量不斷增加情況下，市場需求逐漸加溫。然而，11月128Gb MLC的產品近期的交易價格下降了29.8%，均價為2.16美元。根據市場調研機構TrendForce的分析，雖然2024年第四季NAND Flash價格預計下跌了3-8%，但企業級固態硬盤（SSD）仍預計將上漲了5%。

報道強調，在三星電子準備大規模生產400層堆疊TLC NAND Flash閃存的同時，該公司也專注于優化晶圓良率。目前NAND Flash研發階段的良率為10-20%。該技術成功轉移到生產線后，練綠的持續提升對于達成更高的產量和滿足市場需求將成為重要關鍵。