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化合物半导体专利战再起 Wolfspeed在美提告Navitas
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传三菱化学和JSW计划将氮化镓产能扩大50%
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英飞凌GaN侵权产品上海电子展被当场撤下
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英诺赛科再获德国法院不侵权判决
發(fā)表于：2026/6/22 下午1:26:31
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英飞凌GaN产品遭禁售 英诺赛科获赔1000万元！
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无线芯片嵌入单晶金刚石后突破散热瓶颈
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全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片交付超五百万颗
發(fā)表于：2026/6/8 上午10:04:35
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烟山科技全球首条8英寸MicroLED IDM产线投产
發(fā)表于：2026/5/26 上午9:32:49
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X波段负载不敏感高效率非对称式放大器MMIC
發(fā)表于：2026/5/15 下午4:18:32
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三安集成亮相EDICON 2026 新一代HP56加速高频通信应用落地
發(fā)表于：2026/4/23 下午1:18:41
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马斯克为何选择英特尔合作Terafab？
發(fā)表于：2026/4/13 下午2:09:18
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英特尔造出全球最薄GaN芯片
發(fā)表于：2026/4/9 下午10:15:52
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氮化镓空穴中量子振荡首次被观测到
發(fā)表于：2026/3/26 上午9:33:16
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三星电子加码氮化镓制造领域
發(fā)表于：2026/3/23 上午10:17:05
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罗姆获台积电GaN氮化镓技术授权
發(fā)表于：2026/3/2 上午10:13:46
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台积电将氮化镓技术授权给世界先进和GlobalFoundries
發(fā)表于：2026/2/3 上午9:24:23
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台积电向转投资企业世界先进授权氮化镓制程技术
發(fā)表于：2026/1/29 上午10:19:39
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西电团队攻克芯片散热世界难题
發(fā)表于：2026/1/15 上午10:11:35
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恩智浦将关闭ECHO Fab晶圆厂 退出氮化镓5G PA芯片制造
發(fā)表于：2025/12/15 上午11:03:37
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九峰山实验室最新成果一年可为超大型AI算力中心省3亿度电
發(fā)表于：2025/12/4 下午1:25:55
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美国ITC公布英飞凌起诉英诺赛科“337调查”初步结果！
發(fā)表于：2025/12/4 下午1:12:05
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第三代半导体突破供电瓶颈 有望在AI数据中心领域广泛应用
發(fā)表于：2025/11/12 下午1:04:52
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格罗方德与台积电签属引进氮化镓生产技术授权协议
發(fā)表于：2025/11/11 上午9:18:51
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2036年全球车用功率半导体市场将达420亿美元
發(fā)表于：2025/10/23 下午1:22:31
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多通道大功率氮化镓T/R组件模块散热技术研究
發(fā)表于：2025/9/17 下午2:44:02
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消息称台积电整合8英寸旧厂转向自研EUV薄膜
發(fā)表于：2025/9/11 上午9:57:57
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X波段60 W高功率高效率功率放大器设计
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英诺赛科股价大涨背后的GaN专利大战
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英诺赛科成英伟达800V架构唯一中国供应商
發(fā)表于：2025/8/4 下午1:16:52
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英飞凌四季度向客户提供首批12英寸氮化镓样品
發(fā)表于：2025/7/4 下午12:59:52
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