據(jù)《日經(jīng)新聞》7月7日報道，業(yè)內(nèi)傳出消息稱，三菱化學(xué)（Mitsubishi Chemical）、日本制鋼所（The Japan Steel Works，JSW）計劃將氮化鎵（GaN）產(chǎn)能擴大50%。
報道稱，三菱化學(xué)、JSW將擴產(chǎn)使用于下一代功率半導(dǎo)體基板的GaN產(chǎn)能，目標在2027年將產(chǎn)能擴增50%（和2026年相比），以應(yīng)對開拓來自電動汽車（EV）、逆變器、數(shù)據(jù)中心電源的旺盛需求。
與傳統(tǒng)硅材料相比，GaN能承受更高的電壓，而和碳化硅（SiC）相比，GaN具備高速控制電流、抑制電力損耗等特性。三菱化學(xué)、JSW已在今年4月將基板、晶種（Seed Crystal）產(chǎn)能提高至2021年度的2倍，之后計劃在2027年4月進一步擴增至2021年度的3倍（即和2026年相比增加5成）。
目前三菱化學(xué)/JSW 4吋基板仍處于客戶驗證階段，不過需求增加，因此決定進一步擴增產(chǎn)能，且目標在2026年度開始提供6英寸、2028年度提供8英寸基板樣品。
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