3 月 23 日消息，晶圓代工龍頭臺積電已宣布計劃于 2027 年終止氮化鎵 (GaN) 晶圓的生產，與此同時三星電子將其視為重要增長點。根據韓媒 THE ELEC 當地時間本月 19 日的報道，三星的 8 英寸 GaN 生產線即將就緒。

三星半導體最初在 2023 年表示其功率半導體晶圓廠將于 2025 年投產，不過實際進度要慢上一些。最新行業消息顯示，三星的首條 8 英寸 GaN 生產線最快 2026Q2 投產，預計初期營收規模在 1000 億韓元（注：現匯率約合 4.62 億元人民幣）以內。

報道指出，三星電子已建立除芯片設計外的 GaN 解決方案體系，可自產 GaN 外延晶圓。

除 GaN 外，三星電子還計劃在年內投運碳化硅 (SiC) 功率半導體晶圓代工生產線。在 SiC 上三星擁有包括設計在內的全流程能力，可與 GaN 在不同耐壓區間形成互補。

氮化鎵簡介

　　這是一種具有較大禁帶寬度的半導體，屬于所謂寬禁帶半導體之列。它是微波功率晶體管的優良材料，也是藍色光發光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。

GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。