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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
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特瑞仕半导体株式会社发布耐浪涌电流强的肖特基势垒二极管
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英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性
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2Q25全球牵引逆变器装机量年增19%
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中芯国际新增功率器件产能规模上量后仍供不应求
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碳化硅巨头Wolfspeed启动破产重组
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瑞萨电子因Wolfspeed破产将认列2500亿日元损失
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碳化硅大厂Wolfspeed即将申请破产
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美国碳化硅大厂Wolfspeed即将申请破产
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东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
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中国厂商拿下2024年全球碳化硅衬底市场34.4%份额
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英飞凌SiC超结技术树立新标准
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中国供应链重塑全球牵引逆变器产业版图
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Vishay推出多款采用工业标准SOT-227封装的650 V和1200 V SiC肖特基二极管，提升高频应用效率
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英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650 V G2
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第 4 代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性
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Yole报告指出2029年每车半导体含量将增至1000美元
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意法半导体STGAP3S为IGBT 和SiC MOSFET提供灵活的保护功能
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群英荟，硬科技发展趋势全面解读
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业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
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碳化硅巨头Wolfspeed获15亿美元续命
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CISSOID与南京航空航天大学合作建立联合电驱动实验室
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2029年全球SiC器件市场规模将达到近100亿美元
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英飞凌启用全球最大且最高效的碳化硅功率半导体晶圆厂
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消息称2025年中国SiC芯片价格将下降高达30%
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罗姆子公司SiCrystal在德国扩产 SiC产能将扩大三倍
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2023年SiC功率元件营收排名公布
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士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目开工
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装
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