Vishay推出多款采用工业标准SOT-227封装的650 V和1200 V SiC肖特基二极管，提升高频应用效率
40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V，QC仅为56 nC
2025-03-03
來源：VISHAY
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2025年2月27日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款采用工業標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些Vishay半導體器件旨在為高頻應用提供高速和高效率，在同類二極管中，它們在電容電荷（Qc）和正向壓降之間實現了出色的平衡。
日前發布的二極管包括40 A至240 A的并聯雙二極管組件，以及50 A至90 A單相橋器件。這些二極管基于先進的薄晶圓技術制造，正向壓降低至1.36 V，顯著減小導通損耗，提高能效。此外，與硅基二極管相比，這些器件具有更好的反向恢復參數，幾乎沒有恢復尾電流。
這些器件的典型應用包括AC/DC功率因數校正（PFC），以及用于光伏系統、充電站、工業不間斷電源（UPS）和電信電源的反激式（FBPS）和LLC轉換器中的DC/DC超高頻輸出整流。在這些應用環境下，二極管QC低至56 nC，可實現高速開關，其采用的行業標準封裝可直接替代競品解決方案。
這些二極管可在高達 +175 °C高溫下工作，并且具有正溫度系數便于并聯。這些器件通過UL E78996認證，其特點是端子之間具有較大的爬電距離，以及簡化的機械設計，便于快速組裝。
新型SiC二極管現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為18周。
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