【2025年5月7日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術的領導者，始終以卓越性能與高可靠性相結合的解決方案引領行業。目前，CoolSiC?產品系列覆蓋了400 V至3.3 kV的電壓范圍，應用領域包括汽車動力傳動系統、電動汽車充電、光伏系統、儲能及高功率牽引逆變器等。現在，英飛凌又憑借豐富的SiC業務開發經驗以及在硅基電荷補償器件（CoolMOS?）領域的創新優勢，推出了SiC溝槽型超結（TSJ）技術。

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英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer表示：“ TSJ技術的推出顯著擴展了我們的SiC技術能力。溝槽柵結構與超結技術的結合可以實現更高的效率和更緊湊的設計，這對于性能和可靠性要求極高的應用十分重要?！?/p>

英飛凌致力于通過SiC  TSJ技術逐步擴展CoolSiC?產品組合。此次擴展涵蓋多種封裝形式，包括分立器件、模塑和框架封裝模塊，以及裸晶圓。擴展后的產品組合能夠滿足汽車和工業領域的廣泛應用需求。

首批基于這項新技術的產品是適用于汽車牽引逆變器的英飛凌ID-PAK封裝1200 V功率器件。產品充分利用英飛凌在SiC及硅基超結技術（CoolMOS?）領域25年多的經驗，集溝槽柵技術與超結設計優勢于一身。該可擴展封裝平臺支持最高800 kW功率，可實現高度靈活的系統配置。這項技術的主要優勢之一是通過將R DS(on)*A降低多達40%以獲得更高的功率密度，從而在相同功率等級下實現更緊湊的設計。此外，ID-PAK封裝1200 V SiC TSJ功率器件可在不犧牲短路能力的前提下，將主逆變器電流承載能力提升多達25%。

這一技術進步還為要求嚴苛的汽車和工業應用帶來了整體系統性能提升，包括更低的能耗和散熱要求，以及更高的可靠性。此外，該系統還降低了并聯要求，從而簡化了設計流程并降低了整體系統成本。憑借這些創新優勢，基于英飛凌ID-PAK封裝的SiC TSJ功率器件將助力汽車應用領域設計出更高效、更具成本效益的牽引逆變器。

英飛凌科技汽車電子事業部總裁Peter Schiefer表示：“作為全球汽車半導體領域的領導者，英飛凌始終引領創新步伐，助力構建汽車技術進步與可持續交通出行之間的橋梁。我們的全新的基于溝槽柵結構的SiC超結技術能夠提升效率和簡化系統設計，為電動汽車動力傳動系統帶來更大的價值。”

現代汽車公司開發團隊是英飛凌TSJ技術的首批客戶之一，他們將充分利用這項技術的優勢提升其電動汽車產品性能。該合作能夠幫助現代汽車開發出更加高效、緊湊的電動汽車動力傳動系統。

供貨情況

首批ID-PAK封裝1200 V功率器件樣品現已向部分汽車動力傳動系統客戶開放。ID-PAK封裝 1200 V SiC TSJ功率器件預計將于2027年實現量產。

英飛凌將參加PCIM Europe 2025

歐洲電力電子系統及元器件展（PCIM Europe）將于2025年5月6~8日在德國紐倫堡舉行。英飛凌將在7號展廳470號展臺展示低碳化和數字化產品和解決方案。公司代表還將在PCIM展會舞臺和同期舉辦的PCIM會議上發表多場演講。