EDA與制造相關文章 英特尔正式发布18A-P制程节点技术 在夏威夷举办的2026年IEEEVLSI研讨会上，英特尔正式发布了其18A制程家族的全新升级版本——Intel 18A-P节点技术。这一成果标志着英特尔在先进半导体制造领域再次迈出关键一步，不仅在性能与功耗的平衡上实现了显著突破，更在制造稳定性和量产可行性上取得了实质性进展。 發表于：2026/5/7 美光正式出货245TB全球最高容量数据中心SSD 当地时间2026年5月5日，美光科技宣布，245TB容量的美光6600 ION SSD现已正式出货，这是目前全球市场上可商用的容量最高的固态硬盘。该产品的出货，标志着数据中心在机架级存储密度方面实现了重大突破，专为支持AI、云计算、企业级及超大规模工作负载而设计，覆盖下一代AI数据湖、云端海量文件与对象存储等应用场景。 發表于：2026/5/7 三星宣布停止在中国大陆销售所有家电产品 5月6日，三星电子在官网发布公告称，三星电子决定在中国大陆市场停止销售含电视、显示器在内的所有家电产品。针对已购买三星家电产品的用户，公司仍将严格按照《消费者权益保护法》、国家三包规定等相关法律法规，继续为用户提供规范的售后服务。手机产品正常销售。 發表于：2026/5/7 2026Q1全球半导体销售额达2985亿美元 5 月 6 日消息，SIA（美国半导体行业协会）当地时间 4 日宣布，根据 WSTS（世界半导体贸易统计组织）编制的数据，2026 年第 1 季度全球半导体销售额达 2985 亿美元（IT之家注：现汇率约合 2.04 万亿元人民币），环比实现 25% 增长。 發表于：2026/5/6 消息称三星晶圆代工重启8英寸碳化硅产线建设 5 月 4 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间 3 日报道称，三星电子晶圆代工业务近期就 8 英寸碳化硅 (SiC) 生产线建设的重启与材料、组件、设备合作伙伴展开磋商，有消息传出相关讨论已深入到设备导入规模。 發表于：2026/5/6 英特尔EMIB-T先进封装良率已达90% 全球AI芯片竞赛的战火，已然从制程工艺蔓延至先进封装领域。当前，台积电CoWoS产能持续满载，供不应求的局面让下游厂商焦头烂额。在此背景下，英特尔正以其EMIB先进封装技术杀入这一由台积电长期把持的市场。 發表于：2026/5/6 DDR6内存研发正式启动 5月5日消息，全球三大存储巨头已正式启动下一代DDR6内存的全面研发工作，争夺新一代内存标准的主导权。据基板行业多位消息人士5月4日透露，三星、SK海力士、美光等全球主流内存厂商，近期已向合作基板厂商提出DDR6内存的前期开发需求。目前相关厂商已完成初期样品制作，正推进验证工作。 發表于：2026/5/6 英特尔和三星有望打入苹果晶圆代工生产链 5月5日消息，知名苹果爆料人Mark Gurman透露，苹果和英特尔进行了一系列谈判，计划让英特尔为其代工生产芯片。与此同时，多位苹果高管还参观了三星位于美国得克萨斯州的晶圆厂，评估其生产可行性。 發表于：2026/5/6 台积电最新SoIC 3D封装蓝图曝光 随着人工智能（AI）与高性能计算（HPC） 对芯片性能的要求日益严苛，先进封装技术已成为驱动芯片性能提升的关键。台积电近日在2026年北美技术论坛上公布了最新的SoIC 3D先进封装技术蓝图，宣布将于2029年进一步缩小互连间距，并推出A14对A14制程的SoIC 堆叠技术，展现其在先进封装领域的强大企图心。 發表于：2026/5/6 前台积电研发副总加盟联发科 助力先进封装研发突破 5月2日，业内消息显示，前台积电研发副总经理暨卓越科技院士、素有“台积电研发六骑士” 之称的先进封装研发大将余振华已正式加盟联发科（MediaTek）。 發表于：2026/5/6 内存告急 苹果多款Mac设备惨遭下架 5月6日消息，由于全球内存短缺危机不断加剧，苹果在线商店近期下架了多款高性能Mac设备。目前，配备32GB和64GB内存的Mac mini已经无法在官网上直接购买，高规格内存版本的短缺情况尤为严峻。 發表于：2026/5/6 全票通过 美国FCC全面封杀中国实验室 当地时间4月30日，美国联邦通讯委员会（FCC）全票无异议通过一项新提案，未来将禁止中国的实验室为准备进入美国市场的智能手机登电子设备提供检测认证。这项提案过关后，意味着美国对中国电子产品的限制范围将迎来大幅扩张。 發表于：2026/5/6 SEMI：AI数据中心相关的硅晶圆需求已延伸至电源管理组件 4 月 30 日消息，SEMI（国际半导体产业协会）旗下硅制造商组织 (SMG) 主席矢田银次表示：“AI数据中心相关的硅晶圆需求持续维持强劲，范畴包括先进逻辑与内存应用，并且已延伸至电源管理组件。” 發表于：2026/4/30 台积电更新SoIC 3D芯片封装堆叠技术路线图 4 月 30 日消息，在北美技术研讨会上，台积电更新公布 SoIC 3D 堆叠技术路线图，明确了未来几年的技术演进方向。台积电计划缩小现有的 6μm 互连间距，目标到 2029 年缩小至 4.5μm。 發表于：2026/4/30 三星4nm芯片工艺良率升至 80% 迈入成熟生产阶段 4 月 30 日消息，《首尔经济日报》昨日（4 月 29 日）报道，三星代工厂在 4nm 工艺上取得关键进展，良率已提升至 80%，标志着该工艺进入成熟生产阶段。三星 4nm 工艺于 2023 年 11 月启动量产，此次良率突破为其争取更多客户订单奠定了基础。 發表于：2026/4/30 <…19202122232425262728…>
