5 月 4 日消息，韓媒 ETNEWS 當地時間 3 日報道稱，三星電子晶圓代工業務近期就 8 英寸碳化硅 (SiC) 生產線建設的重啟與材料、組件、設備合作伙伴展開磋商，有消息傳出相關討論已深入到設備導入規模。
三星晶圓代工將化合物半導體視為未來增長點之一；同時，將現有 8 英寸硅 (Si) 晶圓廠改造為碳化硅 (SiC) / 氮化鎵 (GaN) 晶圓廠在節省前期建設成本的同時也可提升產能利用率。
三星電子設備解決方案 (DS) 部在 SiC 領域的布局始于 2023 年。不過由于整體市場一度低迷、主抓存儲器業務等原因，其商業化一度停滯。但在 AI 產業激活功率半導體市場后，三星電子恢復了 SiC 項目的推進。
消息人士預計，三星晶圓代工有望在 2027 年建成一條 SiC 原型生產試點線，并于 2028 年實現量產。
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