據韓國媒體TheElec報道，在4月28日于韓國首爾舉行的半導體會議上，存儲芯片大廠SK海力士（SK hynix）宣布其應用于高帶寬內存（HBM）的混合鍵合（Hybrid Bonding）技術產量較兩年前有顯著提升。
混合鍵合是一種先進的封裝技術，通過直接連接芯片間的銅墊，省略了金屬凸點或銅柱結構，不僅降低了熱量生成，還顯著提高數據傳輸速度，并允許更薄的堆疊高度。SK海力士技術領導人Kim Jong-hoon表示，該技術能實現比現有方法更細的互連間距。
盡管產量有所提升，Kim Jong-hoon也強調經濟可行性仍是當前發展階段的一大挑戰。SK hynix計劃繼續利用其大規模重流模塑填充（MR-MUF）技術來解決這個問題，并表示不僅技術策略重要，價值同樣關鍵。
隨著HBM的演進，堆疊層數不斷增加，制程復雜性急劇上升，推動封裝技術持續創新。HBM封裝技術已從熱壓非導電薄膜（TC-NCF）進展到MR-MUF，最終邁向混合鍵合。每一步都減少了翹曲并提高生產效率。
Kim Jong-hoon指出，公司已完成12層HBM堆疊的驗證，并且在量產準備方面比過去更加充分。
業界觀察人士預測，混合鍵合技術將于今年下半年或2027年隨著16層HBM產品的商業化逐步推出，這將使SK hynix在HBM競爭中占據有利地位，特別是在AI內存需求日益增長的背景下。
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