12月9日消息，據Trendforce報道，SK海力士確認將于2027年初量產第十代V10 NAND閃存，核心突破在于首次采用300+層堆疊架構并集成混合鍵合技術（Hybrid Bonding）。
該技術通過將存儲陣列晶圓與外圍電路晶圓分別制造后垂直鍵合，形成單一高性能單元，顯著提升產品良率、數據傳輸效率及生產效益。
此舉顛覆了行業技術路線預期——此前業界普遍認為混合鍵合技術需至400層堆疊階段才會啟用。
SK海力士選擇在300層節點提前商業化部署，旨在加速確立存儲技術領導地位，應對AI及數據中心市場對高密度閃存的迫切需求。
同步披露的產能動態顯示，受企業級固態硬盤（eSSD）需求激增驅動，其第九代NAND閃存產線已接近滿載。SK海力士正積極擴大現有產品供應規模，為下一代技術量產前的市場過渡期提供支撐。
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