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消息称Rapidus 2nm工艺2HP逻辑密度可与台积电N2相当

2025-09-01
來源:网易科技
關鍵詞: Rapidus 2nm 台积电

9 月 1 日消息,消息人士 Kurnal 表示,根據日本芯片制造商 Rapidus 分享的其 2nm 尖端節點 2HP 的數據,進行擬合計算后得出 Rapidus 2HP 工藝邏輯密度可達 237.31 MTr/mm2,與臺積電同代制程 N2 的 236.17 MTr/mm2 幾無差異。

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▲ 圖源:Kurnal

注: 由于英特爾在 Intel 18A 節點引入的 BSPDN 背面供電技術對芯片設計的改變,其邏輯密度無法與非 BSPDN 的 2nm 系列制程直接比較。

這一數據顯示了 Rapidus 的 2nm 制程在 PPA 三個角度之一 Area(面積)端的良好表現,不過其綜合水平尚需 Power(功耗)和 Performance(性能)數據出爐方能判定,此外良率和生產效率也在一個先進制程節點是否能在商業上取得成功中起到關鍵作用。

Rapidus 已于今年 7 月完成了首塊 2nm GAA 晶圓的試制,目標到 2027 年實現 25000 WPM(每月晶圓數量)規模的量產。

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