3 月 31 日消息，參考了《日經 XTECH》當地時間 30 日刊文，日本先進半導體制造商 Rapidus 首席技術官石丸一成近日接受了該媒體的采訪，表示目標到 1nm 先進制程節點將落后于臺積電的時間縮短到半年左右。

石丸一成坦承，該企業在 2025 年 7 月宣布啟動 2nm GAA 試制時晶體管的表現并不令人滿意，整個過程相對倉促，工藝技術和生產設備都尚未完全準備就緒；不過在去年 9~11 月的快速改進中 Rapidus 的 2nm 性能得到了顯著提升。該企業計劃從 2026 年底開始生產客戶設計的 2nm 測試芯片，為 2027 年的量產打下基礎。

而對于銜接 2nm 和 1nm 的 1.4nm 節點，Rapidus 計劃 2026 年內開始全面開發，目標 2029 年量產。Rapidus 將延續與 IBM 的深度合作，其一半工程師位于美國紐約州，參與聯合研發。

關于Rapidus

由日本經產省牽頭，軟銀、索尼、豐田等8家日本大公司共同籌辦，成立于2022年8月10日。公司地址位于日本東京都千代田區，董事長為東哲郎，社長兼首席執行官為小池淳義。

主要從事半導體元件、集成電路等電子零部件的研究、開發、設計、制造及銷售，同時研究、開發環保節能半導體和半導體制造技術。

2022年12月6日，與比利時微電子研究中心（IMEC）簽署技術合作備忘錄。

12月13日，與IBM公司建立戰略合作伙伴關系，共同開發2納米節點技術。

2023年2月，選定在札幌附近的千歲市興建2納米芯片工廠。

4月，日本經產省決定向其額外提供2600億日元補貼。

2024年6月初，與IBM在2nm制程領域的合作從前端擴展到后端，共同開發芯粒（Chiplet）先進封裝量產技術。

12月底，Rapidus北海道工廠接收ASML極紫外光刻機設備。

2025年4月，使用與IBM合作開發的配方，基于IBM的納米片晶體管結構，啟動并測試了其2納米節點芯片的試驗線。

7月18日，宣布已在其創新集成制造工廠（IIM-1）啟動2納米全環繞柵極（GAA）晶體管結構的原型試制，原型晶圓并已啟動電性參數測試。