6 月 30 日消息，韓媒 the bell 當地時間 26 日報道稱，三星電子正重新加速 1.4nm (SF1.4) 工藝節點的研發工作。該先進制程一度計劃 2027 年量產，但由于晶圓代工業務重心調整，量產時間推遲至 2029 年。
報道指出，三星電子近期向應用材料、泛林研究等主要半導體設備企業分享了 SF1.4 工藝方案，希望實現上下游協力，加速打造最適合該節點的設備組合，包括標準設備的定制化版本。
三星電子已從 ASML 引進了 High NA EUV 光刻圖案化設備，這一機臺部署在 NRD-K 半導體研發綜合體中。對于三星電子而言，High NA EUV 光刻機預計最早在 SF1.4 節點用于生產。
此外，三星電子也已針對第 12 代 V-NAND 訂購設備。這一工藝預計 2030 年前后量產，采用晶圓堆疊結構。
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